專利名稱：壓延銅箔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種壓延銅箔。特別地，本發(fā)明涉及一種用于柔性印刷電路板 (Flexible Printed Circuit，以下有時(shí)也稱作“FPC”)等的壓延銅箔。
背景技術(shù)：
FPC由于厚度薄、可撓性優(yōu)良，因此向電子設(shè)備等的實(shí)裝形態(tài)下的自由度高。因此， FPC正用于折疊式手機(jī)的折彎部、數(shù)碼相機(jī)、打印頭等的可移動(dòng)部，以及硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)、 數(shù)字化通用磁盤(DVD)、高密度磁盤(CD)等磁盤關(guān)聯(lián)設(shè)備的可移動(dòng)部的配線等。以往，已知如下的柔性印刷電路板用壓延銅箔(例如，參照專利文獻(xiàn)1)含有 100 500質(zhì)量ppm的氧(0)，在以下式定義的T為100 400的范圍含有銀(Ag)、金(Au)、 鈀(Pd)、鉬(Pt)、銠(Rh)、銥(Ir)、釕(Ru)、鋨(Os)中的一種以上，T = [Ag]+0. 6[Au]+0. 6[ Pd] +0. 4 [Pt] +0. 4 [Rh] +0. 3 [IR] +0. 3 [Ru] +0. 3 [Os](其中，[M]為元素 M 的質(zhì)量 ppm 濃度)， 硫(S)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鈰(Se)及碲(Te)的合計(jì)量為30質(zhì)量ppm以下，厚度為 5 50 μ m，通過在200度下退火30分鐘后的壓延面的X射線衍射求出的200面的強(qiáng)度(I) 相對于銅粉末的X射線衍射求出的200面的強(qiáng)度(I0)的1/1。>20，具有120 1501的半軟化溫度，在室溫下持續(xù)地保持300N/mm2以上的抗拉強(qiáng)度。專利文獻(xiàn)1所述的柔性印刷電路板用壓延銅箔由于具有上述構(gòu)成，因此可發(fā)揮優(yōu)良的彎曲疲勞壽命特性。對于專利文獻(xiàn)1所述的柔性印刷電路板用壓延銅箔而言，如果由該銅箔含有的氧 (0)生成氧化物，則存在該氧化物成為疲勞破壞的起點(diǎn)的情況，彎曲疲勞壽命特性的提高存在極限。此外，在使用基本不含氧化物的無氧銅時(shí)，由于無氧銅自身與含有氧(0) (100 500質(zhì)量ppm)的銅相比，軟化溫度高，因此在低溫條件下，銅箔中的再結(jié)晶進(jìn)行的不充分， 不能得到良好的彎曲疲勞壽命特性。但是，如果使用專利文獻(xiàn)1那樣的添加元素，則銅的軟化溫度變得更高，雖然在更高溫度的條件下是合適，但在低溫的條件下則完全無法使用。此外，在無氧銅中沒有添加任何物質(zhì)的狀態(tài)下，由于沒有氧化物的影響，因此在低溫條件下， 銅箔中的再結(jié)晶適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行，可得到良好的彎曲疲勞壽命特性，但是在高溫條件下，由于銅箔中的再結(jié)晶過剩地進(jìn)行，因此存在彎曲疲勞特性降低的情況，不能應(yīng)對寬溫度范圍的熱處理。專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-167632號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種即便是在實(shí)施了寬的溫度范圍的熱處理后，也可發(fā)揮優(yōu)良彎曲疲勞壽命特性的壓延銅箔。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明，提供以下的壓延銅箔。[1] 一種壓延銅箔，含有作為主成分的銅(Cu)和不可避免的雜質(zhì)、硅(Si)及鐵(Fe)中的至少一個(gè)、硼(B)以及銀(Ag)。[2]如[1]所述的壓延銅箔，含有以總量計(jì)0.001 0.01重量％的所述硅(Si) 及鐵(Fe)中的至少一個(gè)、0.003 0.04重量％的所述硼(B)以及0. 002 0. 025重量％的所述銀(Ag)。[3]如[1]或[2]所述的壓延銅箔，進(jìn)一步地含有0.002重量％以下的氧(0)。[4]如[1] [3]中任一項(xiàng)所述的壓延銅箔，具有20 μ m以下的厚度。[5]如[2]或[3]所述的壓延銅箔，含有0. 0025 0. 0225重量％的所述銀(Ag)。[6]如[2]或[3]所述的壓延銅箔，含有0. 003 0. 02重量％的所述銀(Ag)。[7]如[2]或[3]所述的壓延銅箔，含有0. 0085質(zhì)量％的所述銀(Ag)。[8]如[2]或[3]所述的壓延銅箔，含有0.003質(zhì)量％ 0.035質(zhì)量％的所述硼 ⑶。[9]如[2]或[3]所述的壓延銅箔，含有0.003質(zhì)量％ 0. 03質(zhì)量％的所述硼 ⑶。[10]如[2]或[3]所述的壓延銅箔，含有0. 0145質(zhì)量％的所述硼⑶。根據(jù)本發(fā)明，可提供一種即便是在實(shí)施了寬的溫度范圍的熱處理后，也可發(fā)揮優(yōu)良彎曲疲勞壽命特性的壓延銅箔。


圖1為表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的壓延銅箔的制造流程的流程圖。圖2為表示本發(fā)明的實(shí)施方式所采用的彎曲疲勞試驗(yàn)(滑動(dòng)彎曲試驗(yàn))的概要的說明圖。符號(hào)說明2 滑動(dòng)彎曲試驗(yàn)裝置；10 壓延銅箔；20 試樣固定板；20a 螺栓；30 振動(dòng)傳遞部；40 振動(dòng)驅(qū)動(dòng)體。
具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)需要使用附圖對本發(fā)明的壓延銅箔的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔含有作為主成分(基料)的銅(Cu)和不可避免的雜質(zhì)(以下，有時(shí)也僅稱為“銅(Cu)”)、硅(Si)及鐵(Fe)中的至少一個(gè)、硼(B)以及銀(Ag)。此外，本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔優(yōu)選可適用于例如上述柔性印刷電路板 (Flexible Printed Circuit :FPC)等可撓性配線構(gòu)件。本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔如上所述，含有作為基料的銅(Cu)和不可避免的雜質(zhì)、硅(Si)及鐵(Fe)中的至少一個(gè)、硼(B) 以及銀(Ag)而構(gòu)成，具體而言，作為一個(gè)例子，為在經(jīng)歷后述壓延銅箔的制造工序的最終冷軋工序后、在經(jīng)歷再結(jié)晶退火前所得的壓延銅箔，例如以用于FPC用壓延銅箔為目的，通常形成為具有50 μ m以下，優(yōu)選20 μ m以下的厚度。以下對各構(gòu)成成分進(jìn)行更詳細(xì)的說明。銅(Cu)本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔含有作為基料的銅(Cu)和不可避免的雜質(zhì)。作為本實(shí)施方式中使用的銅(Cu)，可例舉出例如無氧銅或視為無氧銅(Cu)的銅材料。本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔可以此為基料而形成。此處，本實(shí)施方式中所用的“無氧銅”為例如由JISC1020規(guī)定的無氧銅或不含氧化亞銅(Cu2O)和/或殘留脫氧劑的99. 96%銅(Cu)以上純度的銅(Cu)。這里，氧(0)含量不一定完全為零，不排除本實(shí)施方式中使用的無氧銅中含有數(shù) 111(0.000數(shù)％)左右的氧(0)。因此，對本實(shí)施方式中使用的壓延銅箔而言，作為一個(gè)例子，可形成為含有0.002重量％以下(即，20ppm以下)的氧(0)。這里，為了抑制壓延銅箔中生成氧化物，優(yōu)選進(jìn)一步地降低氧(0)含量。此外，由于該無氧銅中固溶了本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔中不可避免地含有的雜質(zhì)(不可避免的雜質(zhì))，例如硫(S)、磷(P)等，無氧銅的軟化溫度存在上升的傾向。另一方面，如果不可避免的雜質(zhì)(例如，硫(S)、磷(P)等)與規(guī)定添加成分反應(yīng)而生成的化合物存在于無氧銅中，則存在該無氧銅的軟化溫度有降低的傾向。硼(B)本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔含有硼(B)。本實(shí)施方式所用的硼(B)起到降低所制造的壓延銅箔的軟化溫度，即使再結(jié)晶從較低溫度開始的作用。此處，將硼(B)的含量的上限設(shè)為0.04重量％的理由是，如果含有超過0.04重量％，則硼(B)與基料銅(Cu)生成化合物(B-Cu)，該化合物(B-Cu)作為夾雜物存在于基料中。如果B-Cu作為夾雜物而存在于基料中，則在彎曲運(yùn)動(dòng)時(shí)，在該夾雜物處積蓄位錯(cuò)，成為金屬疲勞的原因(金屬疲勞快速積蓄，即彎曲特性低)。銀(Ag)本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔含有銀(Ag)。本實(shí)施方式所用的銀(Ag)發(fā)揮控制(抑制)所制造的壓延銅箔的再結(jié)晶后的晶粒的粒生長速度的效果。硅(Si)、鐵(Fe)本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔含有硅(Si)和鐵(Fe)中的至少一個(gè)。本實(shí)施方式所用的硅(Si)和/或鐵(Fe)與上述銀(Ag)同樣地，發(fā)揮控制(抑制)所制造的壓延銅箔的再結(jié)晶后的晶粒的粒生長速度的效果。但是，硅(Si)和/或鐵(Fe)與銀(Ag)的不同在于對再結(jié)晶后的晶粒的生長速度的抑制效果的程度。具體而言，硅(Si)和/或鐵(Fe)的效果比銀(Ag)的效果大。因此，如果過多地含有硅(Si)和/或鐵(Fe)，則存在在結(jié)晶粒生長中產(chǎn)生不良影響、成為彎曲特性降低的原因的情況。因此，硅(Si)及(Fe)的至少一個(gè)的含量(總量)的上限，優(yōu)選為0.01重量％以下。這里，在硅(Si)與鐵(Fe)之間，關(guān)于其所起到的效果，基本沒有差異。即，無論在僅含有硅(Si)及鐵(Fe)中的任意一個(gè)的情況下，還是在含有硅及鐵兩者的情況下，只要總量相同，就可同樣地充分發(fā)揮本發(fā)明的效果。氧(0)本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔存在含有氧(0)的情況。在本實(shí)施方式中，如果過多地含有氧(0)，氧(0)與基料銅(Cu)反應(yīng)而生成氧化銅，該氧化物在基料中作為夾雜物而存在。在該夾雜物(氧化銅)處也與上述夾雜物B-Cu同樣地，在彎曲運(yùn)動(dòng)時(shí)積蓄位錯(cuò)，成為金屬疲勞的原因(金屬疲勞快速積蓄，即彎曲特性低)。這里，不可避免的雜質(zhì)的含量，通常為0.04% (400ppm)以下。完成本實(shí)施方式的過程以下，對完成采用上述構(gòu)成的本實(shí)施方式的過程進(jìn)行說明。本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔如上所述，以無氧銅或視為無氧銅的銅為基料而形成。首先，硼(B)在不可避免的雜質(zhì)例如，硫(S)、磷(P)等之間生成化合物。此處，如果硫(S)與磷(P)等固溶于基料銅 (Cu)，則認(rèn)為基料銅(Cu)的軟化溫度上升，通過硫(S)、磷⑵等與硼⑶生成化合物，則可抑制硫(S)、磷(P)等向基料銅(Cu)固溶。由此，可抑制基料銅(Cu)的軟化溫度上升。對于通常的無氧銅的軟化溫度高的理由而言，認(rèn)為不可避免的雜質(zhì)硫(S)、磷(P) 等固溶于基料銅(Cu)是重要的原因之一。但是，通常的無氧銅的軟化溫度高的理由不能僅由此完全地說明。即，認(rèn)為存在其他的重要原因，但是具體現(xiàn)在還不清楚。但是，添加了硼 (B)的無氧銅的軟化溫度比未添加的通常的無氧銅低，這是試驗(yàn)確認(rèn)的事實(shí)。在本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔中，雖然由于含有硼(B)而軟化溫度降低，但對于用于該軟化的熱處理工序而言，通常由FPC的制造工序中的熱處理兼任的情況多，即由于根據(jù)制造場所熱處理?xiàng)l件不同，因此必須應(yīng)對各種熱處理?xiàng)l件。但是，如果通過硼(B)降低軟化溫度，即降低再結(jié)晶溫度，雖然通過具有低溫?zé)崽幚項(xiàng)l件的FPC制造工序可得到適當(dāng)?shù)脑俳Y(jié)晶，但在具有高溫?zé)崽幚項(xiàng)l件的FPC制造工序中，由于如前所述，促進(jìn)再結(jié)晶粒的生長而過剩地生長，因此彎曲特性降低。尤其是，近年來，在溫度比迄今更高的條件下的FPC制造工序持續(xù)增加，另一方面，低溫條件下的FPC工序也在增加。因此，本本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，需要兼顧使軟化溫度(再結(jié)晶溫度)降低和抑制再結(jié)晶粒的粒生長速度，為此，在含有硼(B)，使軟化溫度(再結(jié)晶溫度)降低的同時(shí)，含有如“銀(Ag)、硅(Si)及鐵(Fe)”、“銀(Ag)及硅(Si)”、或“銀(Ag)及鐵(Fe)”那樣的組合成分是有效的。S卩，如果僅憑借使用銀(Ag)所產(chǎn)生的效果，用于適應(yīng)近年的更高的溫度條件，存在未必足夠的情況，用于充分抑制再結(jié)晶粒的生長，存在未必足夠的情況。另一方面，不使用銀(Ag)，僅使用硅(Si)和/或鐵(Fe)時(shí)，對再結(jié)晶粒的生長的抑制效果過強(qiáng)，再結(jié)晶粒的生長不充分。因此，通過各種研究，結(jié)果是通過含有如“硼(B)、銀(Ag)、硅(Si)及鐵 (Fe)”、“硼(B)、銀(Ag)及硅(Si)”，或“硼(B)、銀(Ag)及鐵(Fe) ”這樣的組合成分，找出了更精細(xì)的控制，即同時(shí)實(shí)現(xiàn)軟化溫度(再結(jié)晶溫度)的低溫化以及再結(jié)晶粒的生長控制效果的最優(yōu)化。壓延銅箔的制造方法圖1為表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的壓延銅箔的制造的流程的流程圖。以下，參照圖1所示的流程圖，說明壓延銅箔的制造方法。首先，作為原材料，準(zhǔn)備銅合金材料的鑄塊(即錠)(鑄塊準(zhǔn)備工序步驟10，以下以“S”表示步驟)。例如，以氧(0)含量為2ppm以下的無氧銅(例如，JIS H3100、JIS C1020 等)為基料，準(zhǔn)備含有合計(jì)規(guī)定量的硅(Si)及(Fe)、規(guī)定量的硼(B)、規(guī)定量的銀(Ag)的銅合金材料的鑄塊(錠)。接著，對鑄塊(錠)實(shí)施熱軋，制造板材(熱軋工序步驟20)。接著熱軋工序，重復(fù)實(shí)施規(guī)定次數(shù)的對板材實(shí)施冷軋的工序(冷軋工序S32)及對經(jīng)冷軋了的板材實(shí)施退火處理的工序(中間退火工序S34) (S30)。這里中間退火工序(S34)為緩和實(shí)施了冷軋的板材的加工硬化的工序。由此，制造被稱作“坯體”的銅條(以下，有時(shí)稱作“最終冷軋工序前的銅條”)。接著，對銅條實(shí)施規(guī)定的退火處理(坯體退火工序S40)。在坯體退火工序中，優(yōu)選實(shí)施可充分緩和起因于經(jīng)歷坯體退火工序前的各工序的加工應(yīng)力的熱處理，例如，大致完全退火處理。接著，對實(shí)施了退火處理的“坯體”(以下稱作“退火坯體”)實(shí)施冷軋(最終冷軋工序(有時(shí)也稱作最后壓延)S50)。由此，制造本實(shí)施方式涉及的具有規(guī)定厚度的壓延銅箔。這里，在將如上所述而得到的本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔用于FPC制造時(shí)，接著可將本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔投入到后述的FPC的制造工序。此時(shí)，首先對經(jīng)歷了最終冷工序的壓延銅箔實(shí)施表面處理(表面處理等工序S60)。接著，將實(shí)施了表面處理等的壓延銅箔工序供給于FPC的制造工序(FPC制造工序S70)。通過經(jīng)歷FPC制造工序(S70)， 可制造具有對本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔實(shí)施表面處理等而得到的表面處理壓延銅箔的 FPC。FPC制造工序以下，對FPC制造工序說明其概略。FPC工序包含例如貼合FPC用銅箔及由聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成的基膜(基材)，形成覆銅基板(Copper CladedLaminate, CCL)的工序 (CCL工序)；通過對CCL進(jìn)行蝕刻等方法形成電路配線的工序(配線形成工序)；以保護(hù)電路配線上的配線為目的，實(shí)施表面處理的工序(表面處理工序)。作為CCL工序可列舉出以下通過粘接劑層壓銅箔與基材后，通過熱處理使粘接劑固化、密合而形成層壓結(jié)構(gòu)體 (3層CCL)的方法以及不通過粘接劑，將實(shí)施了表面處理的銅箔直接貼合于基材后，通過加熱、加壓而一體化，形成層壓結(jié)構(gòu)體(2層CCL)的方法的兩種方法，兩者都可使用。此處，在FPC制造工序中，出于制造的容易性的考慮，有時(shí)使用實(shí)施了冷軋加工的銅箔(即，經(jīng)加工固化的硬質(zhì)狀態(tài)的銅箔)。這是因?yàn)椋瑢τ谕ㄟ^退火而軟化的銅箔而言，在裁斷該銅箔時(shí)，或向基材層壓時(shí)，存在易于產(chǎn)生變形(例如，延伸、起皺、折痕等變形)、發(fā)生制品不良的情況。另一方面，對于銅箔的彎曲疲勞壽命特性而言，如果對銅箔進(jìn)行再結(jié)晶退火，與對銅箔實(shí)施了壓延加工的場合相比，其顯著地提高。因此，對于上述CCL工序中的使基材與銅箔密合、一體化的熱處理，優(yōu)選采用兼顧銅箔的再結(jié)晶退火的制造方法。這里，對于再結(jié)晶退火的熱處理?xiàng)l件而言，雖然根據(jù)CCL工序的內(nèi)容可使之變化， 但作為一個(gè)例子，在160°C 400°C的溫度下，實(shí)施1分鐘 120分鐘的熱處理。此外，再結(jié)晶退火也可不為CCL工序中所實(shí)施的熱處理，通過其他的工序?qū)嵤Ｍㄟ^這樣的溫度條件范圍內(nèi)的熱處理，可制造具有再結(jié)晶結(jié)構(gòu)的銅箔。此處，在FPC中，由聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成的基膜的彎曲疲勞壽命與銅箔的彎曲疲勞壽命相比，顯著地長。因此，F(xiàn)PC全體的彎曲疲勞壽命，主要取決于銅箔的彎曲疲勞壽命。實(shí)施方式的效果對于本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的壓延銅箔而言，通過使作為基料的無氧銅中含有規(guī)定量的硼(B)、規(guī)定量的銀(Ag)、以總量計(jì)規(guī)定量的硅(Si)和/或鐵(Fe)，可降低軟化溫度 (再結(jié)晶溫度)并且延緩再結(jié)晶后的晶粒的生長速度。因此，該銅箔在從低溫條件(例如 1600C X 120分鐘)的FPC制造工序至高溫條件(例如，400°C X60分鐘)的FPC制造工序的寬條件范圍內(nèi)，可得到適當(dāng)?shù)脑俳Y(jié)晶且可發(fā)揮優(yōu)良的彎曲疲勞壽命特性。由此，對于本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔而言，例如可應(yīng)對FPC制造工序中的各種條件的熱處理。此外，本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔由于可發(fā)揮如上所述的優(yōu)良的彎曲疲勞特性，因此可將該壓延銅箔適用于柔性印刷電路板、其他的導(dǎo)電構(gòu)件的可撓性配線。而且，本實(shí)施方式涉及的壓延銅箔也可適用于要求如下特性的導(dǎo)電構(gòu)件即該特性認(rèn)為無負(fù)荷下的耐振動(dòng)性或不固定狀態(tài)下的耐振動(dòng)性等與彎曲疲勞壽命特性之間存在一定程度的相關(guān)性。
實(shí)施例以下，使用實(shí)施例進(jìn)一步具體地說明本發(fā)明的壓延銅箔。這里，本發(fā)明不受到以下實(shí)施例的任何限制。實(shí)施例1首先，在將以無氧銅為基料的主原料在熔化爐中熔化后，向該熔融物中添加25ppm 的硅(Si)及IOppm的鐵(Fe)(即硅(Si)及鐵(Fe)合計(jì)35ppm)、215ppm的硼、IlOppm的銀 (Ag)，制造厚150mm、寬500mm的鑄塊(錠)(鑄塊準(zhǔn)備工序)。接著，根據(jù)實(shí)施方式涉及的壓延銅箔的制造方法，對鑄塊實(shí)施熱軋來制造IOmm的板材(熱軋工序)。接著，對板材重復(fù)冷軋(冷軋工序)及退火處理(中間退火工序)，制造“坯體”。然后，對“坯體”實(shí)施退火處理(坯體退火處理)。這里，坯體退火工序的退火處理通過在約750°C的溫度下保持約1 分鐘來實(shí)施。接著，對經(jīng)歷了坯體退火工序的退火坯體實(shí)施冷軋(最終冷軋工序)。由此， 制作厚度0. 012mm的實(shí)施例1涉及的壓延銅箔。實(shí)施例2 7及比較例1 7除了分別將成分組成(即，無氧銅中的氧(0)濃度、硅(Si)和/或鐵(Fe)總量、 硼⑶的量、及銀(Ag)的量)變?yōu)楸?所示的值以外，與實(shí)施例1同樣地，制造實(shí)施例2 7及比較例1 7涉及的壓延銅箔。這里，在表1中，實(shí)施例1 7及比較例1 7涉及的壓延銅箔的硅(Si)、鐵(Fe)、硼(B)、銀(Ag)的量，為通過ICP (感應(yīng)耦合等離子體)分析所得的分析值。表 權(quán)利要求
1.一種壓延銅箔，其特征在于，其含有作為主成分的銅和不可避免的雜質(zhì)、硅及鐵中的至少一個(gè)、硼以及銀。
2.如權(quán)利要求1所述的壓延銅箔，其特征在于，其含有以總量計(jì)0.001 0.01重量％ 的所述硅及鐵中的至少一個(gè)、0. 003 0. 04重量％的所述硼以及0. 002 0. 025重量％的所述銀。
3.如權(quán)利要求2所述的壓延銅箔，其特征在于，進(jìn)一步地含有0.002重量％以下的氧。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的壓延銅箔，其特征在于，具有20μ m以下的厚度。
5.如權(quán)利要求2或3所述的壓延銅箔，其特征在于，含有0.0025 0. 0225重量％的所述銀。
6.如權(quán)利要求2或3所述的壓延銅箔，其特征在于，含有0.003 0. 02重量％的所述銀。
7.如權(quán)利要求2或3所述的壓延銅箔，其特征在于，含有0.0085質(zhì)量％的所述銀。
8.如權(quán)利要求2或3所述的壓延銅箔，其特征在于，含有0.003質(zhì)量％ 0. 035質(zhì)量％ 的所述硼。
9.如權(quán)利要求2或3所述的壓延銅箔，其特征在于，含有0.003質(zhì)量％ 0. 03質(zhì)量％ 的所述硼。
10.如權(quán)利要求2或3所述的壓延銅箔，其特征在于，含有0.0145質(zhì)量％的所述硼。
全文摘要
本發(fā)明提供一種壓延銅箔，其即便是在實(shí)施了寬的溫度范圍的熱處理后，也可發(fā)揮優(yōu)良彎曲疲勞壽命特性。該銅箔構(gòu)成為，含有作為主成分的銅(Cu)和不可避免的雜質(zhì)、硅(Si)及鐵(Fe)中的至少一個(gè)、硼(B)以及銀(Ag)。
文檔編號(hào)H05K1/09GK102286671SQ201010542588
公開日2011年12月21日 申請日期2010年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月18日
發(fā)明者關(guān)聰至, 室賀岳梅, 萩原登 申請人:日立電線株式會(huì)社