專利名稱：一種撓性基材及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種撓性基材及其制備方法。
背景技術(shù)：
撓性印制電路板(FPC)具有重量輕、體積小、易彎曲等特點(diǎn)，使電子元器件的連接組裝方式發(fā)生變革，廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理及數(shù)字相機(jī)等消費(fèi)性電子產(chǎn)品。而撓性基材是FPC的加工基板材料，也是決定撓性電路性能好壞的主要因素，由撓性絕緣基材與金屬箔組成，其中撓性覆銅板(FCCL)是應(yīng)用最廣泛的一種。撓性覆銅板分為有膠撓性覆銅板和無(wú)膠撓性覆銅板。傳統(tǒng)的撓性覆銅板為有膠撓性覆銅板，由銅箔、絕緣基材、膠粘劑三種不同的材料復(fù)合而成。與有膠撓性覆銅板相比，無(wú) 膠撓性覆銅板具有較高的耐藥性、撓曲性、耐熱性和高溫剝離強(qiáng)度等特點(diǎn)。無(wú)膠撓性覆銅板的生產(chǎn)工藝主要分為涂布法、層壓法、濺射(或化學(xué)鍍)/電鍍法三種。其中，涂布法工藝是在經(jīng)過(guò)處理的銅箔表面涂布一層聚酰胺酸樹脂，將其亞胺化后，得到單面的無(wú)膠撓性覆銅板，在絕緣基材的另一面涂覆熱熔性的聚酰亞胺樹脂，和銅箔經(jīng)熱壓合后得到雙面的無(wú)膠撓性覆銅板。此方法成本較低，F(xiàn)CCL剝離強(qiáng)度高，但不易制作極薄導(dǎo)電層的FCCL和雙面FCCL ;層壓法是在聚酰亞胺薄膜的兩面涂覆熱熔性聚酰亞胺樹脂，經(jīng)處理得到粘結(jié)性聚酰亞胺薄膜，與銅箔加熱加壓處理后得到無(wú)膠型FCCL，此方法同樣在制作極薄導(dǎo)電層的無(wú)膠FCCL時(shí)受到限制；濺射(或化學(xué)鍍)/電鍍法是通過(guò)物理濺射或化學(xué)鍍等方法在表面處理后的絕緣基材上沉積一層導(dǎo)電金屬層，經(jīng)電鍍加厚導(dǎo)電層，得到無(wú)膠FCCL,此方法可生產(chǎn)極薄導(dǎo)電層的無(wú)膠FCCL，導(dǎo)電層的構(gòu)成也可為各種合金，且易于制作雙面FCCL，但所用設(shè)備投資較大，成本高，化學(xué)鍍過(guò)程也比較復(fù)雜，環(huán)境污染大，同時(shí)此方法制備得到的FCCL導(dǎo)電層與基材層結(jié)合力較低，從而導(dǎo)致FCCL剝離強(qiáng)度較低，容易出現(xiàn)針孔。目前，關(guān)于提高濺射(或化學(xué)鍍)/電鍍法的剝離強(qiáng)度的研究已有一些報(bào)道，公開(kāi)號(hào)為CN102215632A和公開(kāi)號(hào)為CN1957005的中國(guó)專利分別公開(kāi)了通過(guò)偶聯(lián)和接枝的方式提高金屬與絕緣基材之間結(jié)合力的方法，但此兩種方法制得FCCL經(jīng)高溫處理后，表面化學(xué)基團(tuán)易脫落，剝離強(qiáng)度大幅降低；公開(kāi)號(hào)為CN101189287A的中國(guó)專利公開(kāi)了通過(guò)堿性蝕刻粗化聚酰亞胺薄膜表面，提高金屬層與絕緣基材之間的結(jié)合力的方法，但這種方法使基材表面粗糙度增加，導(dǎo)致金屬滲入基材較深，F(xiàn)CCL蝕刻性變差，不利于細(xì)線路的制造。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種撓性基材及其制備方法，該撓性基材剝離強(qiáng)度高、蝕刻性能好。本發(fā)明提供了一種撓性基材，由絕緣基材、中間層和導(dǎo)電層組成，所述絕緣基材含有表面層，所述表面層包含具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒，所述中間層通過(guò)原位化學(xué)還原法附著于所述表面層上。優(yōu)選的，所述中間層的厚度為l(T500nm。
本發(fā)明提供了一種撓性基材的制備方法，包括以下步驟A)將金屬氧化液和還原液同時(shí)噴淋至絕緣基材的表面層上，得到覆有中間層的絕緣基材，所述表面層包含具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒；B)將所述覆有中間層的絕緣基材放至電鍍液中，電鍍后進(jìn)行防氧化處理得到撓性
基材O優(yōu)選的，所述絕緣基材按照如下步驟進(jìn)行制備將納米顆粒/熱塑性聚酰亞胺雜化樹脂涂覆于聚酰亞胺基膜上，升溫進(jìn)行保溫固化和亞胺化處理，然后在CF4和O2的混合氣氛中除去表層熱塑性聚酰亞胺樹脂，得到絕緣基材，所述納米顆粒具有微孔結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選的，所述步驟A具體為Al)將金屬氧化劑、第一添加劑和溶劑混合，得到金屬氧化液；將還原劑、第二添加劑和溶劑混合，得到還原液；A2)將所述金屬氧化液和還原液同時(shí)噴淋至絕緣基材的表面層上，然后在保護(hù)氣氛中高溫處理，得到覆有中間層的絕緣基材，所述表面層包含具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒。優(yōu)選的，所述金屬氧化劑為可溶性金屬鹽、可溶性金屬酸、可溶性金屬酸鹽和可溶性金屬絡(luò)合物中的一種或多種。優(yōu)選的，所述金屬氧化液的濃度為O. 01 5mol/L。優(yōu)選的，所述第一添加劑和第二添加劑各自獨(dú)立為絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑和分散劑中的一種或多種。優(yōu)選的，所述還原劑為水合肼、硼氫化鈉、次磷酸鈉、過(guò)氧化氫、甲醛、甲酸、抗壞血酸、三乙醇胺、甘油和不飽和醇中的一種或多種。優(yōu)選的，所述還原液的濃度為O. 01 5mol/L。本發(fā)明提供了一種撓性基材及其制備方法。與現(xiàn)有技術(shù)濺射(或化學(xué)鍍)/電鍍法制備無(wú)膠撓性基材相比，本發(fā)明在含表面層的絕緣基材上利用原位化學(xué)還原/電鍍的方法制備撓性基材，并且表面層包含具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒。首先中間層通過(guò)原位化學(xué)還原，部分金屬粒子滲入納米顆粒的微孔中，使中間層與絕緣基材之間形成物理錨合，提高了剝離強(qiáng)度，并且經(jīng)過(guò)高溫處理后，其剝離強(qiáng)度亦不會(huì)降低；其次具有微孔結(jié)構(gòu)的顆粒為納米級(jí)，中間層滲入絕緣基材較淺，其中間層界面較平整，蝕刻性能較好，有利于細(xì)線路的制造；再次，原位化學(xué)還原法可以通過(guò)調(diào)節(jié)氧化液和還原液的濃度和噴淋時(shí)間控制中間層的厚度，進(jìn)而可以制備任意厚度的無(wú)膠撓性基材，且不需要特殊的設(shè)備，制備過(guò)程簡(jiǎn)單，成本較低。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，本發(fā)明撓性基材的剝離強(qiáng)度大于O. 9N/mm。


圖I為本發(fā)明雙面撓性基材的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種撓性基材的制備方法，包括以下步驟:A)將金屬氧化液和還原液同時(shí)噴淋至絕緣基材的表面層上，得到覆有中間層的絕緣基材，所述表面層包含具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒，表面層的厚度優(yōu)選為Γ3μπι，更優(yōu)選為Γ2μπι;Β)將所述覆有中間層的絕緣基材放至電鍍液中，電鍍后進(jìn)行防氧化處理得到撓性基材。所述電鍍液為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的電鍍液。其中，所述表面層納米顆粒的覆蓋率為10% 100%，優(yōu)選為35% 80%，所述納米顆粒的粒徑小于500nm,優(yōu)選為10(T300nm,所述具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒優(yōu)選為納米級(jí)微孔二
氧化硅。按照本發(fā)明，所述絕緣基材優(yōu)選按照如下方法進(jìn)行制備將納米顆粒/熱塑性聚酰亞胺雜化樹脂涂覆于聚酰亞胺基膜上，升溫進(jìn)行保溫固化和熱亞胺化處理，然后在CF4和 O2的混合氣氛中除去表層熱塑性聚酰亞胺樹脂，得到絕緣基材，優(yōu)選采用真空等離子蝕刻法除去表層熱塑性聚酰亞胺樹脂，使納米顆粒的微孔部分裸露于空氣中，其表面微孔裸露的面積占整個(gè)顆粒面積的10% 90%，優(yōu)選為40% 70%。所述納米顆粒/熱塑性聚酰亞胺雜化樹脂可以涂覆在聚酰亞胺基膜的單面，制備單面含表面層的絕緣基材，進(jìn)一步用于制備單面無(wú)膠撓性基材；也可以涂覆在聚酰亞胺基膜的雙面，制備雙面均含表面層的絕緣基材，進(jìn)一步用于制備雙面無(wú)膠撓性基材。為了清楚說(shuō)明本發(fā)明，以下分別對(duì)步驟A和步驟B的實(shí)驗(yàn)過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)描述。其中，所述步驟A具體為A1)將金屬氧化劑、第一添加劑和溶劑混合，得到氧化液；將還原劑、第二添加劑和溶劑混合，得到還原液。A2)將所述金屬氧化液和還原液同時(shí)噴淋至絕緣基材的表面層上，然后在保護(hù)氣氛中進(jìn)行高溫處理，得到覆有中間層的絕緣基材。所述溶劑為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的可溶金屬化合物的溶劑，優(yōu)選為水、甲醇或乙醇。步驟Al中所述金屬氧化液的濃度為O. 01飛mol/L，優(yōu)選為O. 05 5mol/L，更優(yōu)選為O. 2"4mol/L0所述金屬氧化劑為可溶性金屬化合物,優(yōu)選為可溶性金屬鹽、可溶性金屬酸、可溶性金屬酸鹽和可溶性金屬絡(luò)合物一種或多種，所述金屬優(yōu)選為鎳、鉻、鈦、錳或其他能與絕緣基材良好結(jié)合的金屬中的一種或多種，更優(yōu)選為鎳和/或鉻，金屬氧化劑優(yōu)選為硫酸鎳、硝酸鎳、氯化鎳和醋酸鎳中的一種或多種。所述第一添加劑在金屬氧化液中的濃度為O. 05 10mol/L，優(yōu)選為O. f 8mol/L，更優(yōu)選為O. remol/L。所述第一添加劑為絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑和分散劑中的一種或多種，優(yōu)選為PH調(diào)節(jié)劑，更優(yōu)選為氨水，所述氨水為實(shí)驗(yàn)室中常用質(zhì)量濃度為259Γ28%的氨水。所述還原液的濃度為O. 01 5mol/L，優(yōu)選為O. 05 5mol/L，更優(yōu)選為O. 2 4mol/L。所述還原劑為為水合肼、硼氫化鈉、次磷酸鈉、過(guò)氧化氫、甲醛、甲酸、抗壞血酸、三乙醇胺、甘油和不飽和醇中的一種或多種，優(yōu)選為水合肼。所述第二添加劑在還原液中的濃度為O. 05 lOmol/L，優(yōu)選為0. 05^8mol/L,更優(yōu)選為0. 05飛mol/L。所述第二添加劑為絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑和分散劑中的一種或多種，優(yōu)選為PH調(diào)節(jié)劑和/或絡(luò)合劑，更優(yōu)選為氫氧化鈉。步驟A2中所述基材優(yōu)選采用水洗、物理磨刷或化學(xué)清洗方法進(jìn)行表面處理，除去絕緣基材表面的灰塵、油污，以保持絕緣基材表面的清潔，更優(yōu)選為采用堿性除油劑進(jìn)行表面處理，堿性環(huán)境下，絕緣基材表面部分樹脂發(fā)生水解反應(yīng)，裸露出親水性的極性基團(tuán)，其對(duì)金屬離子和沉積的金屬粒子均具有較強(qiáng)的吸附作用，提高了中間層與絕緣基材之間的結(jié)合力。
金屬氧化液與還原液同時(shí)噴淋至絕緣基材的表面層上，兩種液體相互接觸的瞬間發(fā)生氧化還原反應(yīng)，生成極微小的金屬粒子，其粒徑極小，具有較高的表面能，進(jìn)而可在絕緣基材表面沉積，自生長(zhǎng)形成沉積金屬層；并且部分金屬粒子滲入在納米顆粒裸露在空氣中的微孔中，使沉積金屬與絕緣基材之間形成物理錨合，沉積金屬層的厚度可通過(guò)金屬氧化液的濃度和噴淋時(shí)間進(jìn)行調(diào)控。將沉積金屬層在還原性保護(hù)氣氛下進(jìn)行高溫處理，得到覆有中間層的絕緣基材。所述還原性保護(hù)氣氛為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的保護(hù)氣氛，優(yōu)選為氮?dú)猓龈邷靥幚淼臏囟葹?00°c 350°C，優(yōu)選為150°C 220°C。所述步驟B為在中間層上進(jìn)行電鍍，加厚導(dǎo)電層，導(dǎo)電層為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的導(dǎo)電金屬，優(yōu)選為銅或鋁，電鍍后形成中間層位于絕緣基材與導(dǎo)電層之間的結(jié)構(gòu)，經(jīng)過(guò)本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的防氧化處理得到撓性基材。本發(fā)明制備方法同時(shí)適用于單面無(wú)膠撓性基材和雙面無(wú)膠撓性基材的制備，其區(qū)別僅在于絕緣基材不同。雙面無(wú)膠撓性基材的絕緣基材雙面均含有表面層，然后在表面層 上經(jīng)過(guò)原位化學(xué)還原沉積得到中間層，進(jìn)而在中間層上電鍍加厚導(dǎo)電層。本發(fā)明提供了一種撓性基材，由絕緣基材、中間層和導(dǎo)電層組成，其中中間層位于絕緣基材和導(dǎo)電層之間。所述絕緣基材含有厚度為1 3μπι的表面層，優(yōu)選為1 2μπι，所述表面層包含具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒，納米顆粒的粒徑優(yōu)選小于500nm，更優(yōu)選為10(T300nm，所述納米顆粒優(yōu)選為納米二氧化硅，所述中間層通過(guò)原位化學(xué)還原法附著于所述表面層上。當(dāng)所述絕緣基材雙面含有表面層時(shí)，所述撓性基材為雙面無(wú)膠撓性基材，其結(jié)構(gòu)如圖I所示。所述絕緣基材I上下表面均含有厚度為1 3μπι，且含有包含納米顆粒的表面層，優(yōu)選為2 μ m,所述納米顆粒的粒徑小于500nm,優(yōu)選為10(T300nm。中間層2和中間層3均通過(guò)原位化學(xué)還原法，沉積金屬粒子至絕緣基材的表面層上，滲入至表面層納米顆粒裸露在空氣中的微孔內(nèi)，形成物理錨合，其厚度分別為l(T500nm，優(yōu)選為15(T300nm。導(dǎo)電層4和5通過(guò)電鍍沉積在中間層上。當(dāng)所述絕緣基材單面含有表面層時(shí)，所述撓性基材為單面撓性基材。絕緣基材僅一面含有厚度為f3ym，且含有納米顆粒的表面層，優(yōu)選為f2ym，所述納米顆粒的粒徑小于500nm，優(yōu)選為10(T300nm。中間層通過(guò)原位化學(xué)還原法，附著于表面層上形成物理錨合，進(jìn)而通過(guò)電鍍?cè)谥虚g層上加厚導(dǎo)電層，得到含絕緣基材、中間層和導(dǎo)電層各一層的單面無(wú)膠撓性基材。其中，所述中間層的厚度為l(T500nm，中間層包括鎳、鉻、鈦、錳或其他能與絕緣基材良好結(jié)合的金屬中的一種或多種，優(yōu)選為鎳、鉻或鎳鉻合金，所述導(dǎo)電層為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的金屬導(dǎo)電層，優(yōu)選為銅或鋁。導(dǎo)電層采用電導(dǎo)率較高，價(jià)格便宜的金屬，但其與絕緣基材之間的結(jié)合力較低，不易附著在絕緣基材表面，從而導(dǎo)致剝離強(qiáng)度較低，采用與絕緣基材結(jié)合力較大的金屬作為中間層，可以提高撓性基材的剝離強(qiáng)度。為了進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種撓性基材及其制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。以下實(shí)施例中所用的試劑均為市售。實(shí)施例I絕緣基材的制備I. I將具有微孔結(jié)構(gòu)的粒徑為200nm的二氧化硅進(jìn)行表面處理，按照二氧化硅與熱塑性聚酰亞胺樹脂質(zhì)量比1:5的比例，填充至熱塑性聚酰亞胺樹脂中，得到微孔二氧化硅/熱塑性聚酰亞胺雜化樹脂。I. 2將I. I中得到的微孔二氧化硅/熱塑性聚酰亞胺雜化樹脂均勻涂布于聚酰亞胺基膜上，50V保溫Ih，150°C保溫Ih，250°C保溫Ih，340V保溫O. 5h后，在CF4(流量200ml/min)和O2 (流量500ml/min)氣氛下真空等離子蝕刻15min,得到表面層厚度為I μ m,表面覆蓋率約為40%的絕緣基材。實(shí)施例22. I金屬氧化液和還原液的配制以重量份計(jì),金屬氧化液的配方為硫酸鎳70份,氨水120份，水1000份；還原液的配方為水合肼17份，氫氧化鈉2份，水1000份。
2. 2原位還原沉積將I. 2中得到的絕緣基材以堿性化學(xué)除油劑噴淋，水洗后，將2. I中得到的金屬氧化液和還原液同時(shí)噴淋在絕緣基材表面，至金屬鎳沉積厚度為150nm，然后，將沉積后的絕緣基材在150°C、氮?dú)獗Ｗo(hù)的條件下處理lOmin，得到覆有中間層的絕緣基材。2. 3電鍍及防氧化處理將2. 2中得到的覆有中間層的絕緣基材置于電鍍液中，進(jìn)行電鍍銅，銅層厚度為18 μ m，然后進(jìn)行防氧化處理，得到無(wú)膠撓性覆銅板。根據(jù)IPC-TM-650對(duì)2. 3中得到的無(wú)膠撓性覆銅板進(jìn)行附著力測(cè)試得到其剝離強(qiáng)度，結(jié)果見(jiàn)表I。實(shí)施例33. I金屬氧化液和還原液的配制以重量份計(jì),金屬氧化液的配方為硫酸鎳50份，氨水100份，水1000份；還原液的配方為水合肼15份,氫氧化鈉I. 5份,水1000份。3. 2原位還原沉積將I. 2中得到的絕緣基材以堿性化學(xué)除油劑噴淋，水洗后，將3. I中得到的金屬氧化液和還原液同時(shí)噴淋在絕緣基材表面，至金屬鎳沉積厚度為lOOnm，然后，將沉積后的絕緣基材在150°C、氮?dú)獗Ｗo(hù)的條件下處理lOmin，得到覆有中間層的絕緣基材。3. 3電鍍及防氧化處理將3. 2中得到的覆有中間層的絕緣基材置于電鍍液中，進(jìn)行電鍍銅，銅層厚度為18 μ m，然后進(jìn)行防氧化處理，得到無(wú)膠撓性覆銅板。根據(jù)IPC-TM-650對(duì)3. 3中得到的無(wú)膠撓性覆銅板進(jìn)行附著力測(cè)試得到其剝離強(qiáng)度，結(jié)果見(jiàn)表I。實(shí)施例44. I金屬氧化液和還原液的配制以重量份計(jì)，金屬氧化液的配方為硫酸鎳90份，氨水150份，水1000份；還原液的配方為水合肼25份，氫氧化鈉2份，水1000份。4. 2原位還原沉積將I. 2中得到的絕緣基材以堿性化學(xué)除油劑噴淋，水洗后，將4. I中得到的金屬氧化液和還原液同時(shí)噴淋在絕緣基材表面，至金屬鎳沉積厚度為200nm，然后，將沉積后的絕緣基材在200°C、氮?dú)獗Ｗo(hù)的條件下處理lOmin，得到覆有中間層的絕緣基材。4. 3電鍍及防氧化處理將4. 2中得到的覆有中間層的絕緣基材置于電鍍液中，進(jìn)行電鍍銅，銅層厚度為18 μ m,然后進(jìn)行防氧化處理，得到無(wú)膠撓性覆銅板。根據(jù)IPC-TM-650對(duì)4. 3中得到的無(wú)膠撓性覆銅板進(jìn)行附著力測(cè)試得到其剝離強(qiáng)度，結(jié)果見(jiàn)表I。實(shí)施例55. I金屬氧化液和還原液的配制以重量份計(jì)，金屬氧化液的配方為硫酸鎳150份，氨水120份，水1000份；還原液的配方為水合肼20份，氫氧化鈉5份，水1000份。 5. 2原位還原沉積將I. 2中得到的絕緣基材以堿性化學(xué)除油劑噴淋，水洗后，將5. I中得到的金屬氧化液和還原液同時(shí)噴淋在絕緣基材表面，至金屬鎳沉積厚度為200nm，然后，將沉積后的絕緣基材在200°C、氮?dú)獗Ｗo(hù)的條件下處理lOmin，得到覆有中間層的絕緣基材。5. 3電鍍及防氧化處理將5. 2中得到的覆有中間層的絕緣基材置于電鍍液中，進(jìn)行電鍍銅，銅層厚度為18 μ m,然后進(jìn)行防氧化處理，得到無(wú)膠撓性覆銅板。根據(jù)IPC-TM-650對(duì)5. 3中得到的無(wú)膠撓性覆銅板進(jìn)行附著力測(cè)試得到其剝離強(qiáng)度，結(jié)果見(jiàn)表I。表IFCCL剝離強(qiáng)度
權(quán)利要求
1.一種撓性基材，由絕緣基材、中間層和導(dǎo)電層組成，其特征在于，所述絕緣基材含有表面層，所述表面層包含具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒，所述中間層通過(guò)原位化學(xué)還原法附著于所述表面層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的撓性基材，其特征在于，所述中間層的厚度為l(T500nm。
3.一種撓性基材的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 A)將金屬氧化液和還原液同時(shí)噴淋至絕緣基材的表面層上，得到覆有中間層的絕緣基材，所述表面層包含具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒； B)將所述覆有中間層的絕緣基材放至電鍍液中，電鍍后進(jìn)行防氧化處理得到撓性基材。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣基材按照如下步驟進(jìn)行制 備 將納米顆粒/熱塑性聚酰亞胺雜化樹脂涂覆于聚酰亞胺基膜上，升溫進(jìn)行保溫固化和亞胺化處理，然后在CF4和O2的混合氣氛中除去表層熱塑性聚酰亞胺樹脂，得到絕緣基材，所述納米顆粒具有微孔結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟A具體為 Al)將金屬氧化劑、第一添加劑和溶劑混合，得到金屬氧化液； 將還原劑、第二添加劑和溶劑混合，得到還原液； A2)將所述金屬氧化液和還原液同時(shí)噴淋至絕緣基材的表面層上，然后在保護(hù)氣氛中高溫處理，得到覆有中間層的絕緣基材，所述表面層包含具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化劑為可溶性金屬鹽、可溶性金屬酸、可溶性金屬酸鹽和可溶性金屬絡(luò)合物中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化液的濃度為O.01 5mol/L。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第一添加劑和第二添加劑各自獨(dú)立為絡(luò)合劑、PH調(diào)節(jié)劑、表面活性劑和分散劑中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述還原劑為水合肼、硼氫化鈉、次磷酸鈉、過(guò)氧化氫、甲醛、甲酸、抗壞血酸、三乙醇胺、甘油和不飽和醇中的一種或多種。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述還原液的濃度為O.01飛mol/L。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種撓性基材及其制備方法。與現(xiàn)有技術(shù)濺射(或化學(xué)鍍)/電鍍法制備無(wú)膠撓性基材相比，本發(fā)明在含表面層的絕緣基材上利用原位化學(xué)還原/電鍍的方法制備撓性基材，并且表面層包含具有微孔結(jié)構(gòu)的納米顆粒。首先中間層通過(guò)原位化學(xué)還原，部分金屬粒子滲入納米顆粒的微孔中，使中間層與絕緣基材之間形成物理錨合，提高了剝離強(qiáng)度，并且經(jīng)過(guò)高溫處理后，其剝離強(qiáng)度亦不會(huì)降低；其次顆粒為納米級(jí)，中間層滲入絕緣基材較淺，界面較平整，蝕刻性能較好，有利于細(xì)線路的制造；再次，原位化學(xué)還原法可以通過(guò)調(diào)節(jié)氧化液和還原液的濃度和噴淋時(shí)間控制中間層的厚度，進(jìn)而可以制備任意厚度的無(wú)膠撓性基材，且不需要特殊的設(shè)備，制備過(guò)程簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)H05K1/03GK102858084SQ20121035800
公開(kāi)日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月24日
發(fā)明者張超, 李成章, 江林 申請(qǐng)人:云南云天化股份有限公司