專利名稱：坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種坩堝，尤其是涉及一種在硅基板的制造中使用的坩堝。
背景技術(shù)：
隨著光伏發(fā)電技術(shù)逐漸成熟，太陽(yáng)能電池的應(yīng)用也在蓬勃發(fā)展。太陽(yáng)能電池通常形成于硅襯底上，該硅襯底可以呈現(xiàn)為單晶硅襯底或多晶硅襯底。目前獲得硅襯底的常見(jiàn)方法是通過(guò)硅料的熔化，凝固以及切割來(lái)完成的。坩堝是用來(lái)裝載多晶硅原料的容器，作為生長(zhǎng)單晶體的常規(guī)方法，在坩堝中放置仔晶晶體，其中源熔料與仔晶晶體接觸，該熔料的溫度在仔晶晶體上逐漸降低，以便生長(zhǎng)單晶體。常用的平底坩堝是底部為四條直線，四條側(cè)邊為直線，四個(gè)底角為直角的坩堝，其應(yīng)力集中，四條邊的接縫容易出現(xiàn)裂縫，使得坩堝在運(yùn)輸過(guò)程中容易破損，導(dǎo)致不必要的損失，并且由于坩堝底部為平面，放入仔晶后，在晶體生長(zhǎng)的實(shí)際過(guò)程中會(huì)發(fā)生仔晶的浮動(dòng)，進(jìn)而影響單晶硅的生成。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種在硅基板的制造中使用的坩堝。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案坩堝，其包括坩堝主體(I)，所述坩堝主體(I)的底部和側(cè)邊均為過(guò)渡圓弧，所述坩堝主體(I)的底部包括多個(gè)可防止仔晶浮動(dòng)的口袋(2)。在本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中，所述坩堝主體(I)與所述口袋(2)為一整體。在本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中，所述口袋(2)為具有傾斜側(cè)壁的口袋。在本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中，所述口袋⑵的外墻(3)與底部⑷成銳角。在本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中，所述口袋的底部為圓角。在本實(shí)用新型的一實(shí)施方式中，所述坩堝主體(I)與口袋(2)連接部位為過(guò)渡圓弧。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是采用了具有口袋和過(guò)渡圓弧的坩堝，將仔晶放入口袋，在晶體生長(zhǎng)的實(shí)際過(guò)程中會(huì)防止仔晶的浮動(dòng)，同時(shí)坩堝主體和口袋處過(guò)渡圓弧的應(yīng)用使得坩堝在運(yùn)輸過(guò)程中安全可靠，避免不必要的損失。

圖I為根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式所示的坩堝的剖視圖。圖2為根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式所示的口袋的局部放大圖。圖3為根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式所示的坩堝的俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明，但不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。如圖I所示，坩堝，其包括裝滿硅料(6)的坩堝主體(I)，所述坩堝主體(I)的底部和側(cè)邊均為過(guò)渡圓弧，所述坩堝主體(I)的底部包括多個(gè)可容納仔晶晶體(5)以防止仔晶浮動(dòng)的口袋(2)。所述坩堝主體(I)與所述口袋(2)為一整體。所述坩堝主體(I)與口袋
(2)的連接部位為過(guò)渡圓弧，所述口袋的底部為圓角。在所述實(shí)施方式中，坩堝主體(I)是一般的六面體，如長(zhǎng)方體或正方體等。坩堝底部有多個(gè)口袋(2)。仔晶晶體(5)放置在口袋
(2)中，硅料(6)裝載在坩堝主體(I)中。在坩堝主體的底部和側(cè)邊，以及坩堝主體與口袋的連接部位采用了過(guò)渡圓弧，口袋的底部為圓角，確保了坩堝在運(yùn)輸過(guò)程中安全可靠，避免不必要的損失。進(jìn)一步的，如圖2所示，所述口袋⑵為具有傾斜側(cè)壁的口袋。口袋⑵的外墻 (3)與底部⑷成銳角，仔晶晶體(5)放置在口袋⑵內(nèi)。由于口袋⑵的外墻(3)是一個(gè)進(jìn)入角，因此這種口袋底部的直徑大于口袋上方直徑。也就是說(shuō)，這種口袋的底部大于其向坩堝底部開(kāi)放的開(kāi)口。首先仔晶以一個(gè)角度插入，然后放置在口袋底部，這種結(jié)構(gòu)極大的防止了仔晶從口袋中浮出和退出。此外，在坩堝主體的底部和側(cè)邊，以及坩堝主體與口袋的連接部位采用了過(guò)渡圓弧，口袋的底部為圓角，確保了坩堝在運(yùn)輸過(guò)程中安全可靠，避免不必要的損失。以上所述的實(shí)施例只是本實(shí)用新型較優(yōu)選的具體實(shí)施方式
的一種，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變換和替換都應(yīng)包含在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.坩堝，其包括坩堝主體(I)，所述坩堝主體(I)的底部和側(cè)邊均為過(guò)渡圓弧，其特征在于，所述坩堝主體(I)的底部包括多個(gè)可防止仔晶浮動(dòng)的口袋(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的坩堝，其特征在于，所述坩堝主體(I)與所述口袋(2)為一整體。
3.根據(jù)權(quán)利要求I至2中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的坩堝，其特征在于，所述口袋(2)為具有傾斜側(cè)壁的口袋。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的坩堝，其特征在于，所述口袋⑵的外墻(3)與底部⑷成銳角。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的坩堝，所述口袋(2)的底部為圓角。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的坩堝，所述坩堝主體⑴與所述口袋⑵的連接部位為過(guò)渡圓弧。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種坩堝，其包括坩堝主體(1)，所述坩堝主體(1)的底部和側(cè)邊均為過(guò)渡圓弧，所述坩堝主體(1)的底部包括多個(gè)防止仔晶浮動(dòng)的口袋(2)。所述坩堝主體(1)與所述口袋(2)為一整體。所述口袋(2)為具有傾斜側(cè)壁的口袋。所述口袋(2)的外墻(3)與底部(4)成銳角。所述口袋(2)的底部為圓角。所述坩堝主體(1)與口袋(2)的連接部位為過(guò)渡圓弧。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于采用了具有口袋和過(guò)渡圓弧的坩堝，可在晶體生長(zhǎng)的實(shí)際過(guò)程中防止仔晶的浮動(dòng)并在坩堝的運(yùn)輸過(guò)程中安全可靠，避免不必要的損失。
文檔編號(hào)C30B28/06GK202543390SQ20122001845
公開(kāi)日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者吳昆旭, 阿肖克·庫(kù)馬爾·辛哈, 雷平·賴 申請(qǐng)人:上澎太陽(yáng)能科技(嘉興)有限公司