專利名稱：石英方坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
石英方坩堝技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及光伏材料制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種石英方坩堝。
背景技術(shù)：
[0002]多晶硅鑄錠用于生產(chǎn)多晶硅片，多晶硅片則用于生產(chǎn)太陽能電池。[0003]現(xiàn)有的多晶硅鑄錠制備方法為將一定數(shù)量的多晶硅料裝入石英方坩堝之后，將石英方坩堝放置在多晶硅鑄錠爐的爐膛中央，再在真空狀態(tài)和保護(hù)氣氛下對(duì)石英方坩堝中的多晶硅料進(jìn)行加熱、熔化、定向長晶、退火、冷卻等工藝處理后形成定向凝固的多晶硅鑄錠。[0004]上述的石英方坩堝主要用于在G5及G6生長工藝中制備多晶硅鑄錠。G5生長工藝可以將多晶硅鑄錠切割為25(5*5)塊156*156mm(長*寬)的標(biāo)準(zhǔn)小硅錠，G6生長工藝可以將多晶硅鑄錠切割為36(6*6)塊156*156mm(長*寬)的標(biāo)準(zhǔn)小硅錠。[0005]隨著市場發(fā)展的需求，多晶硅鑄錠的生長工藝技術(shù)已經(jīng)逐漸發(fā)展為G7生長工藝， 需要把多晶硅鑄錠切割為49 (7*7)塊156*156mm(長*寬)的標(biāo)準(zhǔn)小硅錠，而現(xiàn)有的石英方坩堝不能滿足G7生長工藝的需求。實(shí)用新型內(nèi)容[0006]本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種石英方坩堝，可以滿足多晶硅鑄錠G7生長工藝的需求。[0007]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案[0008]一種石英方坩堝，具有正方形的底壁及四個(gè)側(cè)壁，所述側(cè)壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的內(nèi)外表面均為正方形，所述底壁內(nèi)表面的邊長為1130mm至1190mm，所述側(cè)壁內(nèi)表面的高度為420mm至600mm。[0009]優(yōu)選地，所述側(cè)壁的頂端至底端厚度不同并逐漸增加，所述側(cè)壁的頂端厚度為 IOmm至30mm,所述側(cè)壁的底端厚度為20mm至40mm。[0010]優(yōu)選地，所述側(cè)壁的頂端至底端厚度相同，所述側(cè)壁的厚度為20mm至35mm。[0011]優(yōu)選地，所述底壁與所述側(cè)壁之間的夾角及相鄰的所述側(cè)壁之間的夾角為圓倒角。[0012]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的石英方坩堝中，由于底壁11內(nèi)表面的邊長a為1130_ 至1190mm,且側(cè)壁22內(nèi)表面的高度b為420mm至600mm,因此可以容納更多的娃晶體,從而能夠生產(chǎn)出更大的多晶硅鑄錠；另外，由于1130mm和1190mm均大于7*156mm，因此該多晶硅鑄錠能被切割為高度為420mm至600mm的49 (7*7)塊156*156mm(長*寬)的標(biāo)準(zhǔn)小硅錠，滿足G7生長工藝的需求。


[0013]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0014]圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種石英方坩堝的示意圖；[0015]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種石英方坩堝的示意圖。
具體實(shí)施方式
[0016]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。[0017]如圖I所示，為本實(shí)用新型一種石英方坩堝，具有正方形的底壁11及四個(gè)側(cè)壁12， 側(cè)壁12的外表面垂直于底壁11，底壁11的內(nèi)外表面均為正方形，底壁11內(nèi)表面的邊長a 為11 30mm至1190mm,側(cè)壁12內(nèi)表面的高度b為420mm至600mm。[0018]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的石英方坩堝中，由于底壁11內(nèi)表面的邊長a為1130_ 至1190mm,且側(cè)壁22內(nèi)表面的高度b為420mm至600mm,因此可以容納更多的娃晶體,從而能夠生產(chǎn)出更大的多晶硅鑄錠；另外，由于1130mm和1190mm均大于7*156mm，因此該多晶硅鑄錠能被切割為高度為420mm至600mm的49 (7*7)塊156*156mm(長*寬)的標(biāo)準(zhǔn)小硅錠，滿足G7生長工藝的需求。[0019]現(xiàn)有技術(shù)中的石英方坩堝生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)小硅錠數(shù)量最多為36個(gè)，而本實(shí)用新型實(shí)施例提供的石英方坩堝能夠一次性生產(chǎn)490個(gè)標(biāo)準(zhǔn)小硅錠，大幅度提供高了生產(chǎn)效率，并且,生產(chǎn)成本相應(yīng)降低。[0020]同時(shí)，不與所述石英方坩堝接觸的中間部位的標(biāo)準(zhǔn)小硅錠數(shù)量大大增加，減少了所述石英方坩堝中所含雜質(zhì)對(duì)所述標(biāo)準(zhǔn)小硅錠的污染，提高了所述標(biāo)準(zhǔn)小硅錠的平均質(zhì)量，從而提高了所述硅片的平均質(zhì)量。[0021]圖2示出了另一種石英方坩堝，圖2所示的石英方坩堝中，側(cè)壁22的頂端至底端厚度不同并逐漸增加，與底壁21連接的側(cè)壁22的厚度從頂端到底端逐漸增加，即側(cè)壁22 頂端的厚度m為IOmm至30mm,側(cè)壁22底端的厚度η為20mm至40mm。[0022]這樣設(shè)置側(cè)壁可以節(jié)省生產(chǎn)石英方坩堝所用材料，同時(shí)使相同空間內(nèi)盛裝下更多的多晶硅原料，同樣能夠滿足生產(chǎn)的多晶硅鑄錠能夠一次性切割成49 (7*7)塊 156*156mm (長*寬)的標(biāo)準(zhǔn)小硅錠。[0023]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的石英方坩堝中，側(cè)壁的結(jié)構(gòu)可以如圖I所示，即頂端至底端的厚度相同，根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)驗(yàn)證，這種結(jié)構(gòu)的側(cè)壁12的厚度k可以為20mm至35mm。[0024]另外，如圖I所示，底壁11與側(cè)壁12之間的夾角及相鄰的側(cè)壁12之間的夾角為直角，而圖2所示的石英方坩堝中，底壁21與側(cè)壁22之間的夾角及相鄰的側(cè)壁22之間的夾角為圓倒角。[0025]由于圖2中，底壁21與側(cè)壁22之間的夾角及相鄰的側(cè)壁22之間的夾角為圓倒角， 可以防止生產(chǎn)過程中所述石英方坩堝及所生產(chǎn)多晶硅鑄錠磕碰損壞。[0026]當(dāng)然，底壁與側(cè)壁之間的夾角及相鄰的側(cè)壁之間的夾角并不限于圖I和圖2所示的形式，也可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其它形式。[0027]以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種石英方坩堝，具有正方形的底壁及四個(gè)側(cè)壁，所述側(cè)壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的內(nèi)外表面均為正方形，其特征在于，所述底壁內(nèi)表面的邊長為1130mm至1190mm,所述側(cè)壁內(nèi)表面的高度為420mm至600mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的石英方坩堝，其特征在于，所述側(cè)壁的頂端至底端厚度不同并逐漸增加，所述側(cè)壁的頂端厚度為IOmm至30mm,所述側(cè)壁的底端厚度為20mm至40mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的石英方坩堝，其特征在于，所述側(cè)壁的頂端至底端厚度相同，所述側(cè)壁的厚度為20mm至35mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的石英方坩堝，其特征在于，所述底壁與所述側(cè)壁之間的夾角及相鄰的所述側(cè)壁之間的夾角為圓倒角。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種石英方坩堝，涉及光伏材料制備技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有的石英方坩堝不能滿足G7生長工藝的需求的問題。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的石英方坩堝，具有正方形的底壁及四個(gè)側(cè)壁，所述側(cè)壁的外表面垂直于所述底壁，所述底壁的內(nèi)外表面均為正方形，其中，所述底壁內(nèi)表面的邊長為1130mm至1190mm，所述側(cè)壁內(nèi)表面的高度為420mm至600mm。
文檔編號(hào)C30B28/06GK202809001SQ20122043950
公開日2013年3月20日 申請日期2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月30日
發(fā)明者王楠, 黎志欣, 王軍, 郭大偉, 冷先鋒 申請人:北京京運(yùn)通科技股份有限公司