電氣膜體的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的電氣膜體的制造方法以短時(shí)間高效率且高精度地形成薄膜電阻等元件。該電氣膜體的制造方法是將膜體形成為符合所希望的電氣特性的形狀的電氣膜體的制造方法，其具有以下工序：在基板層上形成電氣膜體的成膜工序，測(cè)量在該成膜工序中成膜的電氣膜體的面內(nèi)的電氣特性的電氣特性測(cè)量工序；基于在該電氣特性測(cè)量工序中測(cè)量到的電氣特性設(shè)定電氣膜體的形狀的電氣膜體形狀設(shè)定工序，以及形成在該電氣膜體形狀設(shè)定工序中所設(shè)定的形狀的電氣膜體的電氣膜體形成工序。
【專利說(shuō)明】電氣膜體的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將膜體形成為符合所期望的電氣特性的形狀和大小的電氣膜體的制
造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，隨著布線基板的電路的高密度化，電阻等也由薄膜形成。并且，布線基板也變得多層化。這種例子有，專利文獻(xiàn)1中記載的附帶電容器的電路基板以及使用該電路基板的多層電路基板，和專利文獻(xiàn)2中記載的元件內(nèi)置多層布線板。
[0003]專利文獻(xiàn)1的多層電路基板是在絕緣基板的表面形成印刷電容器而構(gòu)成的的附帶電容器的電路基板。上述印刷電容器由在上述絕緣基板的表面用銅箔形成的第1電極、和在上述第1電極上用介質(zhì)漿料形成的介電層和在上述介電層上用導(dǎo)電涂料形成的第2電極構(gòu)成。
[0004]專利文獻(xiàn)2的元件內(nèi)置多層布線板具有:形成有第1布線圖案的芯基材，涂布和形成于具有第1布線圖案的面一側(cè)的所述芯基材上的、貫穿連接用有底孔設(shè)置的絕緣層，形成于絕緣層的表面的至少一個(gè)的內(nèi)置元件，以及沒(méi)有連接內(nèi)置元件的第2布線圖案。在第
1、第2布線圖案之間通過(guò)連接用有底孔電氣連接，內(nèi)置元件采用至少不與任何其他的內(nèi)置元件電氣連接或磁性連接、且其特性能夠分別調(diào)整的結(jié)構(gòu)。
[0005]在這種基板上，布線等形成如下。在此，作為布線等中的一個(gè)，以薄膜狀的電阻為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0006]電阻1采用如圖1所示的結(jié)構(gòu)。圖1中的2是形成于有機(jī)絕緣層3上的電阻薄膜部。該電阻薄膜部2是用光刻法等方法形成的。電阻薄膜部2的兩端設(shè)置有電極部4。該電極部4是用電鍍等方法形成的。
[0007]該電阻1的制造方法在圖2以及圖3中示出。圖2是示出電阻1的制造工序的示意圖。圖3是示出電阻1的制造工序的流程圖。下面一邊基于圖2進(jìn)行說(shuō)明，一邊適當(dāng)?shù)靥岬綀D3的流程圖。
[0008]首先，如圖2的(a)所示，在作為基板層的有機(jī)絕緣層3上形成電阻薄膜7 (步驟
S1)。接著，如圖2的(b)所示，通過(guò)使用了基于目的膜厚(目標(biāo)膜厚)的規(guī)定線寬數(shù)據(jù)(理論計(jì)算出的線寬數(shù)據(jù))的光刻法形成光刻膠層8 (步驟S2)。
[0009]接著，如圖2的(c)所示，利用蝕刻法進(jìn)行電阻膜7的圖案形成(步驟S3)。這之后，如圖2的(d)所示，剝離光刻膠層8，進(jìn)一步形成電極9 (步驟S4)。然后，如圖2的(e)所示，使探針10接觸到電極9，施加電流測(cè)量電壓并確認(rèn)電阻值(步驟S5)。
[0010]其他的布線等也采用同樣的方法形成。
[0011]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0012]專利文獻(xiàn)
[0013]專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)平08-125302號(hào)公報(bào)
[0014]專利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)2003-17858號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]發(fā)明要解決的課題
[0016]然而，在上述那樣的多層布線基板中，即使按照規(guī)定的裝置條件成膜，按照設(shè)計(jì)的圖案寬度形成電阻等圖案，被成膜的濺射膜等的特性(薄層電阻等)也可能會(huì)產(chǎn)生偏差。也就是說(shuō)，基礎(chǔ)的有機(jī)絕緣層等的表面狀態(tài)不均勻，或絕緣膜的厚度存在偏差時(shí)，薄層電阻等的特性就可能會(huì)產(chǎn)生偏差。
[0017]并且，在形成多個(gè)電阻的情況下，如圖4的(a) (b)所示那樣，電阻值的分布中偏差較小，具有規(guī)格中心的電阻值的薄膜電阻較多，都包含在允許范圍內(nèi)(規(guī)格上限以及下限的范圍內(nèi))則是目標(biāo)。但是，實(shí)際上，如果如圖5的(a) (b)所示，電阻值的分布偏向規(guī)格下限側(cè)的薄膜電阻較多，或者如圖6的(a) (b)所示，電阻值的分布偏向規(guī)格上限側(cè)的薄膜電阻較多的話，就會(huì)產(chǎn)生很多規(guī)格外的物品。
[0018]因此，使用以往的制造方法的話，如果電阻等的特性有偏差，則最終形成的電阻的電阻值等特性就會(huì)在基板面內(nèi)因位置不同而有偏差，無(wú)法滿足所希望的基準(zhǔn)值。
[0019]在這種情況下，例如，需要通過(guò)進(jìn)行對(duì)所形成的薄膜電阻照射激光去除其一部分的裁剪等調(diào)整電阻值。但是，在布線基板上形成的薄膜電阻的數(shù)量很多，或者如上述那樣電阻值的偏差很大的情況下，對(duì)該電阻值的調(diào)整就需要時(shí)間等，從而影響到布線基板的制造時(shí)間和成本。
[0020]本發(fā)明是鑒于這個(gè)問(wèn)題點(diǎn)的發(fā)明，其目的在于，提供一種無(wú)論電阻值等的特性分布是否有偏差，都能夠在較短時(shí)間高效率、低成本且高精度地形成符合目標(biāo)特性的元件的電氣膜體制造方法。
[0021]用于解決課題的手段
[0022]本發(fā)明所涉及的電氣膜體的制造方法是將膜體形成為符合所希望的電氣特性的形狀的制造方法，其特征在于，具有以下工序:在基板層上形成電氣膜體的成膜工序；測(cè)量在該成膜工序中成膜的電氣膜體的面內(nèi)的電氣特性的電氣特性測(cè)量工序；基于在該電氣特性測(cè)量工序中測(cè)量到的電氣特性設(shè)定電氣膜體的形狀的電氣膜體形狀設(shè)定工序；以及形成在該電氣膜體形狀設(shè)定工序中所設(shè)定的形狀的電氣膜體的電氣膜體形成工序。
[0023]發(fā)明的效果
[0024]采用本發(fā)明所涉及的電氣膜體制造方法，能夠短時(shí)間高效率且高精度地形成薄膜電阻等元件。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1是示出薄膜電阻的俯視圖。
[0026]圖2是示出以往的薄膜電阻的制造工序的示意圖。
[0027]圖3是示出以往的薄膜電阻的制造工序的流程圖。
[0028]圖4是示出電阻值的分布中偏差較小，具有規(guī)格中心的電阻值的薄膜電阻較多，包含在允許范圍內(nèi)(規(guī)格上限以及下限的范圍內(nèi))的狀態(tài)的電阻值分布以及圖表。
[0029]圖5是示出電阻值的分布偏向規(guī)格下限側(cè)的薄膜電阻較多的狀態(tài)的電阻值分布以及圖表。[0030]圖6是示出電阻值的分布偏向規(guī)格上限側(cè)的薄膜電阻較多的狀態(tài)的電阻值分布以及圖表。
[0031]圖7是示出本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)所涉及的薄膜電阻的制造工序的示意圖。
[0032]圖8是示出本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)所涉及的薄膜電阻的制造工序的流程圖。
[0033]圖9是示出在有機(jī)絕緣層形成了電阻薄膜和光刻膠的狀態(tài)的俯視圖。
[0034]圖10是示出將薄膜電阻分為9個(gè)區(qū)塊，在每個(gè)區(qū)塊形成光刻膠，并形成了電阻薄膜的狀態(tài)的俯視圖。
[0035]圖11是示出將光刻膠形成為基于9處薄膜電阻形成位置的薄層電阻值設(shè)定的電阻形狀的狀態(tài)的俯視圖。
[0036]圖12是示出通過(guò)蝕刻法進(jìn)行了電阻薄膜的圖案形成的狀態(tài)的俯視圖。
[0037]圖13是示出形成了電極的狀態(tài)的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]以下，參照附圖關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)所涉及的電氣膜體的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施形態(tài)的電氣膜體的制造方法可以適用于各種薄膜形成方法，以下以光刻法為例進(jìn)行說(shuō)明。在光刻法中，使用對(duì)描繪在光掩模上的元件、電路的圖案進(jìn)行燒印的曝光裝置等。首先用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)、噴涂等在絕緣層上形成光刻膠，該光刻膠感光后，描繪在光掩模上的元件、電路圖案就被燒印。然后，通過(guò)蝕刻將不要的部分去除，進(jìn)一步用電鍍等方法形成電極等。使用該光刻法，對(duì)本實(shí)施形態(tài)的電氣膜體的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在下面的敘述中，作為電氣膜體以薄膜電阻為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0039][第一實(shí)施形態(tài)]
[0040]首先，關(guān)于本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施形態(tài)的薄膜電阻制造方法為，測(cè)量薄膜的面內(nèi)的電阻值，并測(cè)量薄膜的面內(nèi)的電阻值的分布，根據(jù)各電阻的形成位置(電氣膜體形成位置)的電阻值設(shè)定電阻薄膜的形狀，形成薄膜電阻。該電阻的制造方法在圖
7、8中示出。圖7是示出電阻的制造工序的示意圖。圖8是示出電阻的制造工序的流程圖。在以下的敘述中，一邊基于圖7進(jìn)行說(shuō)明，一邊適當(dāng)?shù)靥岬綀D8的流程圖。
[0041]本實(shí)施形態(tài)的薄膜電阻的制造方法采用具有成膜工序，電氣特性測(cè)量工序，作為電氣膜體形狀設(shè)定工序的薄膜電阻形狀設(shè)定工序，和作為電氣膜體形成工序的薄膜電阻形成工序的構(gòu)成。
[0042]成膜工序是在基板層形成薄膜的工序。在成膜工序中，如圖7的(a)所示，在作為基板層的有機(jī)絕緣層16上形成電阻薄膜17 (步驟S11)。作為成為該電阻薄膜17的母材的材料，例如有Cr、NiP、NiCr、NiB、N1、Ta、TaN、T1、TiO或包含這些材料的合金材料。成為電阻的母材的薄膜的形成有濺射法、蒸鍍法、非電解電鍍法、電鍍法、納米厚漿涂層法或這些方法的復(fù)合方法。
[0043]接著，如圖7的(b)所示，在電阻薄膜17的上表面全表面形成光刻膠18。
[0044]電氣特性測(cè)量工序是對(duì)在上述成膜工序中成膜了的薄膜的面內(nèi)的電阻值進(jìn)行測(cè)量的工序。在電氣特性測(cè)量工序中，在電阻的電阻形成位置附近形成測(cè)量用圖案，直接測(cè)量電阻的電阻形成位置附近的電阻值。
[0045]具體來(lái)說(shuō)，如圖7的(c)所示，任意設(shè)定電阻測(cè)量用圖案，通過(guò)光刻，將光刻膠18形成為電阻測(cè)量用圖案(步驟S12)。
[0046]接著，如圖7的(d)所示，通過(guò)圖案蝕刻，將電阻膜17形成為電阻測(cè)量用圖案(步驟S13)。去除光刻膠18并形成電阻19 (參照?qǐng)D7的(e))。
[0047]接著，如圖7的(e)所示，使探針20接觸到電阻19，通過(guò)施加電流以及測(cè)量電壓對(duì)電阻測(cè)量用圖案的電阻值進(jìn)行測(cè)量(步驟S14)。并且，對(duì)該電阻測(cè)量用圖案的線長(zhǎng)以及線寬進(jìn)行測(cè)量(步驟S15)。
[0048]接下來(lái)，進(jìn)入到薄膜電阻形狀設(shè)定工序。薄膜電阻形狀設(shè)定工序是基于在上述電氣特性測(cè)量工序中測(cè)量到的電阻值設(shè)定薄膜電阻的形狀的工序。根據(jù)上述電阻測(cè)量用圖案的測(cè)量結(jié)果計(jì)算薄層電阻值，設(shè)定薄膜電阻的形狀。
[0049]具體來(lái)說(shuō)，根據(jù)上述電阻測(cè)量用圖案的電阻值、線長(zhǎng)以及線寬，計(jì)算薄膜電阻的形成位置的薄層電阻值(步驟S16)。根據(jù)該薄層電阻值校正電阻測(cè)量用圖案的線長(zhǎng)、線寬，對(duì)電阻的線長(zhǎng)、線寬進(jìn)行計(jì)算，使其構(gòu)成規(guī)定的電阻值(步驟S17)。另外，在預(yù)先設(shè)定了電阻的長(zhǎng)度的情況下，僅計(jì)算其線寬。
[0050]接著，根據(jù)上述校正線長(zhǎng)以及校正線寬設(shè)定電阻的尺寸以及形狀，根據(jù)該電阻的尺寸以及形狀制成光刻數(shù)據(jù)(步驟S18)。
[0051]接著，進(jìn)入到薄膜電阻形成工序。薄膜電阻形成工序是形成在上述薄膜電阻形狀設(shè)定工序中所設(shè)定的形狀的薄膜電阻的工序。在該薄膜電阻形成工序中，首先如圖7的(f)所示，再次在電阻薄膜17的上表面整個(gè)表面形成光刻膠18，形成電阻形狀的光刻膠18 (步驟S19)。即，通過(guò)使用了校正線長(zhǎng)以及校正線寬的圖案數(shù)據(jù)的光刻，形成電阻形狀的光刻膠18，該校正線長(zhǎng)以及校正線寬的圖案數(shù)據(jù)是根據(jù)基于根據(jù)上述電阻的尺寸以及形狀制成的光刻數(shù)據(jù)得到的。
[0052]接著，如圖7的(g)所示，通過(guò)蝕刻進(jìn)行電阻膜17的圖案形成(步驟S20)。這之后，如圖7的(h)所示，剝離光刻膠18，形成電極21 (步驟S21)，如圖7的(i)所示，使探針20接觸到電極21，施加電流并測(cè)量電壓，從而確認(rèn)電阻值(步驟S22)。
[0053]根據(jù)以上所述，能夠在電阻值的分布不均的電阻薄膜17上，吸收該偏差，以較短時(shí)間高效率且高精度地形成設(shè)定電阻值的薄膜電阻22。
[0054][第二實(shí)施形態(tài)]
[0055]接著，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施形態(tài)的電氣膜體制造方法是用于同時(shí)制造多個(gè)薄膜電阻的制造方法。
[0056]在有機(jī)絕緣層上的整個(gè)表面形成電阻薄膜17之后，測(cè)量基板面內(nèi)整個(gè)區(qū)域的薄膜薄層電阻的分布，將該面內(nèi)分布反映到用于電阻圖案形成的光刻數(shù)據(jù)之中。具體來(lái)說(shuō)，為了能按照薄層電阻值的面內(nèi)分布形成所希望的電阻值的電阻，在基板面內(nèi)的各個(gè)電阻形成位置處調(diào)整電阻的線長(zhǎng)以及線寬。由此，能夠在基板整個(gè)表面將各電阻的電阻值的偏差一起吸收，高效率地得到偏差較小的高精度的電阻。而且，能夠同時(shí)得到多個(gè)電阻。
[0057]本實(shí)施形態(tài)的電氣膜體制造方法是將上述第1實(shí)施形態(tài)的電氣膜體制造方法適用到多個(gè)電阻的情況。具體來(lái)說(shuō)，本實(shí)施形態(tài)的電氣膜體制造方法具有:在基板層上對(duì)于該基板層的整個(gè)表面形成薄膜的成膜工序，對(duì)在該成膜工序中成膜了的薄膜的面內(nèi)整個(gè)區(qū)域的電阻值進(jìn)行測(cè)量的電氣特性測(cè)量工序，根據(jù)在該電氣特性測(cè)量工序中測(cè)量的上述薄膜內(nèi)的各電阻形成位置的電阻值對(duì)薄膜體的形狀進(jìn)行設(shè)定的電氣膜體形狀設(shè)定工序，以及形成在該電氣膜體形狀設(shè)定工序中根據(jù)上述各電阻形成位置所設(shè)定的形狀的薄膜電阻的薄膜體形成工序。
[0058]基于圖9?13對(duì)本實(shí)施形態(tài)的電氣膜體制造方法進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施形態(tài)中也使用電阻作為薄膜體進(jìn)行說(shuō)明。另外，由于各個(gè)處理以及電阻的構(gòu)成與第1實(shí)施形態(tài)的電阻22相同，因此對(duì)于相同的構(gòu)件采用相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。以下，以同時(shí)制造被分為9個(gè)區(qū)塊的18個(gè)電阻22的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0059]圖9像圖7的(b) —樣，處于在有機(jī)絕緣層16上形成了電阻薄膜17和光刻膠18的狀態(tài)。
[0060]圖10是將電阻薄膜17分為9個(gè)區(qū)塊，在每個(gè)區(qū)塊上，像圖7的(c)一樣形成了光刻膠18，并像圖7的(d)—樣形成了電阻薄膜17的狀態(tài)。由此，在9區(qū)塊每個(gè)區(qū)塊各形成一個(gè)電阻測(cè)量用圖案。然后，計(jì)算9個(gè)電阻測(cè)量用圖案的電阻值，并測(cè)量電阻薄膜17整個(gè)區(qū)域的薄層電阻值的分布。然后，基于各電阻形成位置(9處電阻形成位置)的薄層電阻值設(shè)定電阻的形狀。
[0061]圖11像圖7的(f) 一樣，處于將光刻膠18形成為基于各電阻形成位置(9處電阻形成位置)的薄層電阻值所設(shè)定的電阻的形狀的狀態(tài)。此時(shí)，由于在電阻薄膜17的上表面的9處電阻形成位置測(cè)量到的各薄層電阻值因?yàn)榉植嫉钠疃煌?，光刻膠18的形狀也在9處各電阻形成位置分別不同。
[0062]圖12像圖7的(g)—樣，處于通過(guò)蝕刻進(jìn)行了電阻膜17的圖案形成的狀態(tài)。由此，在9處各電阻形成位置形成各不相同的電阻膜17 (電阻22)。
[0063]圖13像圖7的(h)—樣，處于形成了電極21的狀態(tài)。這之后，像圖7的(i )一樣，使探針20接觸到電極21，施加電流并測(cè)量電壓，從而確認(rèn)電阻值。
[0064]由此，能夠以較短時(shí)間高效率地進(jìn)行多個(gè)電阻22的電阻值調(diào)整，可以形成電阻值更加精密的電阻22。
[0065]進(jìn)一步地，通過(guò)增加配置在基板面內(nèi)的薄層電阻值測(cè)量圖案的數(shù)量(區(qū)塊數(shù)量)，使得調(diào)整間隔細(xì)密，能夠進(jìn)行更加精密的電阻值調(diào)整。
[0066][變形例]
[0067]在上述各實(shí)施形態(tài)中，制造了電阻作為電氣膜體，但是除此以外，也可以適用于薄膜電容器或者薄膜電容器的電極等電氣膜體的制造。在這種情況下，在電氣膜體的整個(gè)表面測(cè)量的電氣特性就變成電容或者介電常數(shù)。
[0068]又，用光刻法進(jìn)行圖案形成時(shí)的曝光裝置由于就每個(gè)基板改變面內(nèi)的電阻圖案線寬等，因而使用激光直接成像裝置，對(duì)各基板進(jìn)行直接成像是有效的。又，即使在采用使用玻璃掩模、薄掩模等的掩模曝光裝置的情況下，也能夠通過(guò)制作反映了各個(gè)基板的薄層電阻值的掩模，得到同樣的效果。
[0069]在上述各實(shí)施形態(tài)中，作為用來(lái)測(cè)量基板面內(nèi)的薄層電阻的方法，舉例說(shuō)明有形成形狀、結(jié)構(gòu)與電阻圖案形狀、結(jié)構(gòu)相同的測(cè)量用圖案并根據(jù)其電阻值測(cè)量薄層電阻的方法，但是也可以使用其他的方法。也就是說(shuō)，也可以采用基于范德堡(van der pauw法)的四邊形、三葉草形的用于測(cè)量薄層電阻的特有的圖案來(lái)進(jìn)行測(cè)量。又，不使用測(cè)試圖案，使用4探針?lè)ǖ谋与娮铚y(cè)量方法也是可以的。
[0070]在上述各實(shí)施形態(tài)中，舉例說(shuō)明了電阻線寬的調(diào)整，但是在薄膜電阻的上部有電極部的情況下，通過(guò)調(diào)整電極部的光刻數(shù)據(jù)使電極部的大小發(fā)生變化，其結(jié)果調(diào)整了電阻的線長(zhǎng)，從而得到所希望的電阻值的方法也是有效的。也可以直接調(diào)整電阻的線長(zhǎng)。
[0071]在上述各實(shí)施形態(tài)中，舉例說(shuō)明了電阻線寬的調(diào)整，但是在薄膜電阻與電極部之間存在用于應(yīng)力緩和和表面保護(hù)的有機(jī)絕緣層的情況下，調(diào)整絕緣開(kāi)口的光刻數(shù)據(jù)，調(diào)整連接薄膜電阻和電極部的有機(jī)絕緣層開(kāi)口的大小，使開(kāi)口間的距離改變，其結(jié)果調(diào)整了電阻的線長(zhǎng)，從而得到所希望的電阻值的方法也是有效的。
[0072]又，本發(fā)明不被上述各實(shí)施形態(tài)、各變形例所限定，在實(shí)施階段可以在不脫離其中心思想的范圍內(nèi)對(duì)構(gòu)件進(jìn)行變形并具體化。又，利用上述各實(shí)施形態(tài)、各變形例中揭示的多個(gè)構(gòu)件的適當(dāng)組合，可以形成多種發(fā)明。
[0073]符號(hào)說(shuō)明
[0074]16:有機(jī)絕緣層，17:電阻薄膜，18:光刻膠，19:電阻，20:探針，21:電極，22:薄膜電阻。
【權(quán)利要求】
1.一種電氣膜體的制造方法，其是將膜體形成為符合所希望的電氣特性的形狀的制造方法，其特征在于，具有以下工序:在基板層上形成電氣膜體的成膜工序；測(cè)量在該成膜工序中成膜的電氣膜體的面內(nèi)的電氣特性的電氣特性測(cè)量工序；基于在該電氣特性測(cè)量工序中測(cè)量到的電氣特性設(shè)定電氣膜體的形狀的電氣膜體形狀設(shè)定工序；以及形成在該電氣膜體形狀設(shè)定工序中所設(shè)定的形狀的電氣膜體的電氣膜體形成工序。
2.如權(quán)利要求1所記載的電氣膜體的制造方法，其特征在于，在所述成膜工序中，所述基板層的電氣膜體形成于該基板層的整個(gè)表面，在所述電氣特性測(cè)量工序中，測(cè)量所述電氣膜體內(nèi)全部區(qū)域的電氣特性，在所述電氣膜體形狀設(shè)定工序中，根據(jù)所述電氣膜體內(nèi)的各電氣膜體形成位置的電氣特性，設(shè)定電氣膜體的形狀，在所述電氣膜體形成工序中，形成根據(jù)所述各電氣膜體形成位置所設(shè)定的形狀的電氣膜體。
3.如權(quán)利要求1所記載的電氣膜體的制造方法，其特征在于，所述電氣膜體為電阻，所述電氣特性為電阻值。
4.如權(quán)利要求1所記載的電氣膜體的制造方法，其特征在于，所述電氣膜體為電容器或者電容器的電極，所述電氣特性為電容量或者介電常數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所記載的電氣膜體的制造方法，其特征在于，在所述基板層上，同時(shí)制造所設(shè)定的形狀的多個(gè)電氣膜體。
6.如權(quán)利要求2所記載的電氣膜體的制造方法，其特征在于，在所述基板層上，同時(shí)制造所設(shè)定的形狀的多個(gè)電氣膜體。
7.如權(quán)利要求3所記載的電氣膜體的制造方法，其特征在于，在所述基板層上，同時(shí)制造所設(shè)定的形狀的多個(gè)電氣膜體。
8.如權(quán)利要求4所記載的電氣膜體的制造方法，其特征在于，在所述基板層上，同時(shí)制造所設(shè)定的形狀的多個(gè)電氣膜體。
9.一種電氣膜體，其是將膜體形成為符合所希望的電氣特性的形狀的電氣膜體，其特征在于，通過(guò)具有以下步驟的工序制造:在基板層上形成電氣膜體的成膜步驟；測(cè)量在該成膜步驟中成膜的電氣膜體的面內(nèi)的電氣特性的電氣特性測(cè)量步驟；基于在該電氣特性測(cè)量步驟中測(cè)量到的電氣特性設(shè)定電氣膜體的形狀的電氣膜體形狀設(shè)定步驟；以及形成在該電氣膜體形狀設(shè)定步驟中所設(shè)定的形狀的電氣膜體的電氣膜體形成步驟。
【文檔編號(hào)】H05K1/16GK103687298SQ201310407995
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月10日
【發(fā)明者】菅井孝安, 小田部昇 申請(qǐng)人:日本麥可羅尼克斯股份有限公司