前端模塊封裝件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本實用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的封裝技術(shù)，特別是涉及前端模塊(FEM，F(xiàn)ront EndModule)封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002]針對前端模塊，業(yè)界主流的方式是采用2D，即肩并肩(sideby side)的方式封裝完成。這種封裝方式在產(chǎn)品尺寸要求不高的前提下是一個不錯，甚至最好的方法，可以實現(xiàn)設(shè)計時所要求的各項射頻特性。然而隨著市場日趨加劇的電子產(chǎn)品小型化的需求，一旦封裝件縮小到一定的尺寸，這種傳統(tǒng)的封裝方式就無法在有限的接地面積上滿足設(shè)計所要求的各項射頻特性。
[0003]圖1所示是一全球定位系統(tǒng)的前端模塊封裝件10的剖視圖。該前端模塊封裝件10采用的即是上述的2D方式。如圖1所示，該前端模塊封裝件10主要包含一低噪聲功率放大器12、一表面聲波(SAW，Surface Acoustic Wave)濾波器14，及承載該低噪聲功率放大器12與表面聲波濾波器14的基板16。當(dāng)前端模塊封裝件10的尺寸減小時，其能提供的接地面積也隨之減小，而且接地平面會很細(xì)碎而無法盡可能完整。這種狀況下，低噪聲功率放大器12這一敏感元件會很容易受到接地噪聲信號耦合的干擾，進(jìn)而產(chǎn)生各項射頻特性退化的問題。
[0004]因而，現(xiàn)有的前端模塊封裝件仍需進(jìn)一步改進(jìn)方能適應(yīng)產(chǎn)品小型化的市場需求。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的之一在于提供一前端模塊封裝件，其可在有限的封裝尺寸條件下有效避免接地噪聲信號耦合對低噪聲濾波器的干擾。
[0006]根據(jù)本實用新型的一實施例，一種前端模塊封裝件，其包含:低噪聲功率放大器，表面聲波濾波器，及基板。該基板經(jīng)配置以分別與所述低噪聲功率放大器及所述表面聲波濾波器電連接。表面聲波濾波器設(shè)置于該基板上，低噪聲功率放大器進(jìn)一步疊放在表面聲波濾波器上方。
[0007]在本實用新型的一實施例中，低噪聲功率放大器與表面聲波濾波器之間以非導(dǎo)電膠貼合固定。非導(dǎo)電膠的厚度為10_20umo
[0008]在本實用新型的一實施例中，表面聲波濾波器為裸片銅架構(gòu)表面聲波濾波器。
[0009]在本實用新型的一實施例中，低噪聲功率放大器與基板之間以引線方式實現(xiàn)電連接。在本實用新型的一實施例中，表面聲波濾波器與所述基板之間以錫球方式實現(xiàn)電連接。
[0010]在本實用新型的一實施例中，前端模塊封裝件是接收前端模塊。
[0011 ]本實用新型實施例提供的前端模塊封裝件，低噪聲功率放大器疊放在表面聲波濾波器上方，相較傳統(tǒng)的肩并肩方式可有效降低前端模塊封裝件的尺寸。同時由于架高絕緣了接地噪聲對低噪聲功率放大器的干擾，加之低噪聲功率放大器本身接地噪聲電位的降低，可極大改善射頻特性退化的現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0012]圖1所示是一全球定位系統(tǒng)的前端模塊封裝件的剖視圖
[0013]圖2所示是根據(jù)本實用新型一實施例的前端模塊封裝件的剖視圖
[0014]圖3所示是根據(jù)本實用新型另一實施例的前端模塊封裝件的剖視圖
【具體實施方式】
[0015]為更好的理解本實用新型的精神，以下結(jié)合本實用新型的部分優(yōu)選實施例對其作進(jìn)一步說明。
[0016]對所有的電路而言，電流都必須流經(jīng)接地線。而所有的接地線都有些微的阻抗，這些有限的接地阻抗會在接地線上產(chǎn)生壓降，這些壓降又會耦合到相關(guān)的電路。這就是接地噪聲產(chǎn)生的主要原因。接地噪聲會使電子產(chǎn)品整體特性降低，對于敏感元件，如低噪聲放大器影響更大。為降低甚至消除接地噪聲，需要提供足夠的、盡可能完整的接地面積。而這一點對于需將多個裸片封裝在一起的前端模塊封裝件而言并非易事。
[0017]本實用新型的實施例打破傳統(tǒng)的封裝思維，而可有效的解決上述問題。
[0018]圖2所示是根據(jù)本實用新型一實施例的前端模塊封裝件20的剖視圖。該前端模塊封裝件20可應(yīng)用于全球定位系統(tǒng)等多種電子產(chǎn)品，尤其是作為低功率模塊，例如接收前端模塊。
[0019]如圖2所不，該前端模塊封裝件20主要包含一低噪聲功率放大器22、一表面聲波濾波器24，及承載該低噪聲功率放大器22與表面聲波濾波器24的基板26。該基板26可以是常見的雙層BT(maids Bislmie.Tizn)封裝基板。該表面聲波濾波器24直接設(shè)置于基板26上，通過錫球30等方式實現(xiàn)與基板26上相應(yīng)電路的電連接。而低噪聲功率放大器22則進(jìn)一步疊放在表面聲波濾波器24上方，通過引線32等與基板26上相應(yīng)電路實現(xiàn)電連接;從而以架高方式(Stacked-on Passive)有效的絕緣接地噪聲對整體電子產(chǎn)品，如GPS系統(tǒng)的影響。低噪聲功率放大器22與表面聲波濾波器24之間以非導(dǎo)電膠34貼合固定，非導(dǎo)電膠可選擇本領(lǐng)域常用的種類，并無特別限定。貼合方式可以是對低噪聲功率放大器22作晶圓背面涂覆處理。
[0020]由于低噪聲功率放大器22疊放在表面聲波濾波器24上方，使得基板26的接地結(jié)構(gòu)盡可能多的應(yīng)用于表面聲波濾波器24，從而使得表面聲波濾波器24具有相對均勻平整的接地面積的，進(jìn)而降低接地噪聲電位。
[0021 ]圖3所示是根據(jù)本實用新型另一實施例的前端模塊封裝件20的剖視圖。
[0022]如圖3所示，類似的，該前端模塊封裝件20主要包含一低噪聲功率放大器22、一表面聲波濾波器24，及承載該低噪聲功率放大器22與表面聲波濾波器24的基板26。該表面聲波濾波器24是一裸片銅架構(gòu)(DSSP)表面聲波濾波器，其直接設(shè)置于基板26上，通過錫球30等方式實現(xiàn)與基板26上相應(yīng)電路的電連接。而低噪聲功率放大器22則進(jìn)一步疊放在表面聲波濾波器24上方。低噪聲功率放大器22與表面聲波濾波器24之間以非導(dǎo)電膠34貼合固定，非導(dǎo)電膠可選擇本領(lǐng)域常用的種類，并無特別限定?？紤]到DSSP表面聲波濾波器24的結(jié)構(gòu)特性及制造中的受力情況，可使用多次晶圓背面涂覆的方式增加非導(dǎo)電膠的厚度，使得低噪聲功率放大器22完全貼合于一定厚度的非導(dǎo)電膠34上，該厚度可控制在10-20um之間；進(jìn)而避免直接與表面聲波濾波器24接觸或兩者間緩沖不足造成DSSP表面聲波濾波器24斷裂。
[0023]由于低噪聲功率放大器22疊放在表面聲波濾波器24上方，相較傳統(tǒng)的肩并肩方式可有效降低前端模塊封裝件20的尺寸。同時由于架高絕緣了接地噪聲對低噪聲功率放大器22的干擾，加之低噪聲功率放大器22本身接地噪聲電位的降低，可極大改善射頻特性退化的現(xiàn)象。
[0024]本實用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實用新型的教示及揭示而作種種不背離本實用新型精神的替換及修飾。因此，本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本實用新型的替換及修飾，并為本專利申請權(quán)利要求書所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種前端模塊封裝件，其包含: 低噪聲功率放大器； 表面聲波濾波器;及 基板，經(jīng)配置以分別與所述低噪聲功率放大器及所述表面聲波濾波器電連接； 其特征在于所述表面聲波濾波器設(shè)置于所述基板上，所述低噪聲功率放大器進(jìn)一步疊放在表面聲波濾波器上方。2.如權(quán)利要求1所述的前端模塊封裝件，其特征在于所述低噪聲功率放大器與所述表面聲波濾波器之間以非導(dǎo)電膠貼合固定。3.如權(quán)利要求2所述的前端模塊封裝件，其特征在于所述非導(dǎo)電膠的厚度為10-20um。4.如權(quán)利要求1所述的前端模塊封裝件，其特征在于所述表面聲波濾波器為裸片銅架構(gòu)表面聲波濾波器。5.如權(quán)利要求1所述的前端模塊封裝件，其特征在于所述低噪聲功率放大器與所述基板之間以引線方式實現(xiàn)電連接。6.如權(quán)利要求1所述的前端模塊封裝件，其特征在于所述表面聲波濾波器與所述基板之間以錫球方式實現(xiàn)電連接。7.如權(quán)利要求1所述的前端模塊封裝件，其特征在于所述前端模塊封裝件是接收前端模塊。
【專利摘要】本實用新型是關(guān)于前端模塊封裝件。根據(jù)本實用新型的一實施例的前端模塊封裝件包含：低噪聲功率放大器，表面聲波濾波器，及基板。該基板經(jīng)配置以分別與低噪聲功率放大器及表面聲波濾波器電連接。表面聲波濾波器設(shè)置于該基板上，低噪聲功率放大器進(jìn)一步疊放在表面聲波濾波器上方。本實用新型實施例所提供的前端模塊封裝件可有效降低前端模塊封裝件的尺寸,可極大改善射頻特性退化的現(xiàn)象。
【IPC分類】H01L25/16, H01L23/31
【公開號】CN205303463
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】李威弦, 李菘茂, 李榮哲, 汪虞, 李維鈞
【申請人】蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司, 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2015年12月15日