一種立體結(jié)構(gòu)的nfc天線的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及移動通信技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種立體結(jié)構(gòu)的NFC天線。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在，NFC近場無線通信技術(shù)已普遍應(yīng)用于電子設(shè)備之間或電子設(shè)備和NFC讀寫器之間的數(shù)據(jù)交換通訊，在電子設(shè)備上安裝有NFC通訊天線用于收發(fā)電磁波信號。
[0003]現(xiàn)有的NFC天線都是采用平面結(jié)構(gòu)，將線圈設(shè)置在一平面結(jié)構(gòu)上，電子設(shè)備留給通信天線的區(qū)域一般都比較小，在此基礎(chǔ)上，其磁場強度弱，從而讀寫距離比較短，且天線輻射范圍小，適用范圍窄。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提出一種立體結(jié)構(gòu)的NFC天線，具備至少兩環(huán)路線圈，為立體結(jié)構(gòu)，輻射范圍大，適用性強;且磁場強度強，從而增加了其讀寫距離。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
[0006]本實用新型提供一種立體結(jié)構(gòu)的NFC天線，其包括:至少兩環(huán)路線圈，所述至少兩環(huán)路線圈平行設(shè)置;且所述至少兩環(huán)路線圈在垂直方向部分重疊或重疊。
[0007]較佳地，至少兩相鄰的所述環(huán)路線圈的旋向相同。
[0008]較佳地，至少兩所述環(huán)路線圈為串聯(lián)或并聯(lián)或八字形繞線。
[0009 ]較佳地，所述環(huán)路線圈設(shè)置在支撐架上。
[0010]較佳地，相鄰的所述支撐架中的其中之一為非金屬支撐架或兩個都為非金屬支撐架。
[0011]較佳地，一所述環(huán)路線圈的與另一所述環(huán)路線圈相對的一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)磁材料。
[0012]較佳地，所述導(dǎo)磁材料為鐵氧體。
[0013]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型具有以下優(yōu)點:
[0014](I)本實用新型提供的立體結(jié)構(gòu)的NFC天線，設(shè)置有至少兩環(huán)路線圈結(jié)構(gòu)，為立體結(jié)構(gòu)，增加了其輻射范圍，適用范圍廣；
[0015](2)本實用新型的立體結(jié)構(gòu)的NFC天線，至少兩環(huán)路線圈的旋向相同，增強了其磁場強度，從而增加了天線的讀寫距離。
[0016]當(dāng)然，實施本實用新型的任一產(chǎn)品并不一定需要同時達到以上所述的所有優(yōu)點。
【附圖說明】
[0017]下面結(jié)合附圖對本實用新型的實施方式作進一步說明:
[0018]圖1為本實用新型的實施例1的立體結(jié)構(gòu)的NFC天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本實用新型的圖1的右視磁場分布圖；
[0020]圖3為本實用新型的NFC天線的側(cè)視磁場分布圖；[0021 ]圖4為本實用新型的實施例2的NFC天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5為本實用新型的實施例3的NFC天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖6為本實用新型的NFC天線的應(yīng)用示意圖。
[0024]標號說明:1-第一環(huán)路線圈，2-第二環(huán)路線圈，3-饋點，4-金屬；
[0025]11-第一支撐架，12-第二支撐架；
[0026]21-第一鐵氧體，22-第二鐵氧體。
【具體實施方式】
[0027]下面對本實用新型的實施例作詳細說明，本實施例在以本實用新型技術(shù)方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方式和具體的操作過程，但本實用新型的保護范圍不限于下述的實施例。
[0028]實施例1:
[0029]結(jié)合圖1-圖2，對本實用新型的立體結(jié)構(gòu)的NFC天線進行詳細描述，本實用新型的NFC天線包括:至少兩環(huán)路線圈，兩環(huán)路線圈上下平行設(shè)置，且在垂直方向重疊或部分重疊，本實施例以雙環(huán)路線圈為例，如圖1所示為其結(jié)構(gòu)示意圖，其包括:第一環(huán)路線圈I和第二環(huán)路線圈2，第一環(huán)路線圈I和第二環(huán)路線圈2在垂直方向重疊。
[0030]第一環(huán)路線圈I和第二環(huán)路線圈2分別設(shè)置在第一支撐架11和第二支撐架12上，第一環(huán)路線圈I的下方貼有第一鐵氧體21，第二環(huán)路線圈2的下方貼有第二鐵氧體，可以屏蔽金屬對線圈的磁場的影響。
[0031]本實施例中，第一環(huán)路線圈I和第二環(huán)路線圈2為串聯(lián)方式連接，且兩者的旋向相同，如圖中箭頭所示，圖中箭頭方向表示線圈中的電流流向，電流從第二線圈2的饋點3流入，從第一線圈I的饋點3流出。如圖2所示為圖1的右視圖，受到串聯(lián)的雙環(huán)路線圈的電流擊發(fā)后(兩個線圈上的電方向一致)，線圈周圍對應(yīng)產(chǎn)生的磁場分布如圖所示，單個線圈所產(chǎn)生的磁場方向相同，磁場在通訊空間存在疊加，從而增強了磁場強度，進而可增強天線的讀寫距離。
[0032]較佳實施例中，第一支撐架11和第二支撐架12為非金屬支撐架。當(dāng)兩支撐架之間沒有金屬時，兩邊的鐵氧體可以移除，此時可以在第一支撐架11的上方刷卡，也可以在第二支撐架12的下方刷卡，還可以在兩者之間刷卡；當(dāng)兩支撐架之間有金屬時，可以在第一支撐架11的上方刷卡，也可以在第二支撐架12的下方刷卡。不同實施例中，第一支撐架11和第二支撐架12中的其中之一可以為金屬支撐架，另一為非金屬支撐架，且兩者之間不存在金屬，金屬支撐架一側(cè)的鐵氧體保留，非金屬支撐架一側(cè)的鐵氧體可以移除，此時刷卡可以在非金屬支撐架一側(cè)，也可以在兩者之間。
[0033]不同實施例中，當(dāng)兩環(huán)路線圈之間存在金屬4時，此時上下線圈產(chǎn)生的磁場被金屬4隔斷不再有增強效果，但是上下線圈都具備讀寫功能，加大了天線的輻射范圍，適用范圍大，在不同的方位都能實現(xiàn)讀寫，天線性能增強。
[0034]不同實施例中，第一線圈I和第二線圈2的旋向也可以不同，此時兩個線圈獨立工作，雖然磁場強度沒有疊加，但是也可增加天線的輻射范圍，提高天線的性能。
[0035]實施例2:
[0036]如圖4所示為本實施例的NFC天線的繞線示意圖，其與實施例1不同的是，第一線圈I和第二線圈2采用并聯(lián)方式連接，此時也可達到同樣的效果。
[0037]實施例3:
[0038]如圖4所示為本實施例的NFC天線的繞線示意圖，去與實施例1不同的是，第一線圈I和第二線圈2采用八字形方式連接，此時也可達到同樣的效果。
[0039]本實用新型的NFC天線可以應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，例如:手機、筆記本等。如圖6所示給出了NFC天線在筆記本中的安裝位置示意圖，其可以安裝在a、b、c、d、e、f中的任意位置處。
[0040]此處公開的僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，本說明書選取并具體描述這些實施例，是為了更好地解釋本實用新型的原理和實際應(yīng)用，并不是對本實用新型的限定。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在說明書范圍內(nèi)所做的修改和變化，均應(yīng)落在本實用新型所保護的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種立體結(jié)構(gòu)的NFC天線，其特征在于，包括:至少兩環(huán)路線圈，所述至少兩環(huán)路線圈平行設(shè)置； 且所述至少兩環(huán)路線圈在垂直方向部分重疊或重疊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NFC天線，其特征在于，至少兩相鄰的所述環(huán)路線圈的旋向相同。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NFC天線，其特征在于，至少兩所述環(huán)路線圈為串聯(lián)或并聯(lián)或八字形繞線。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NFC天線，其特征在于，所述環(huán)路線圈設(shè)置在支撐架上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的NFC天線，其特征在于，相鄰的所述支撐架中的其中之一為非金屬支撐架或兩個都為非金屬支撐架。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的NFC天線，其特征在于，一所述環(huán)路線圈的與另一所述環(huán)路線圈相對的一側(cè)設(shè)置有導(dǎo)磁材料。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的NFC天線，其特征在于，所述導(dǎo)磁材料為鐵氧體。
【專利摘要】本實用新型公開了一種立體結(jié)構(gòu)的NFC天線，其包括：至少兩環(huán)路線圈，至少兩環(huán)路線圈平行設(shè)置；且至少兩環(huán)路線圈在垂直方向部分重疊或重疊。本實用新型公開的立體結(jié)構(gòu)的NFC天線，具備至少兩環(huán)路線圈，為立體結(jié)構(gòu)，輻射范圍大，適用性強；且磁場強度強，從而增加了其讀寫距離。
【IPC分類】H01Q7/06, H01Q7/08
【公開號】CN205303686
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】趙學(xué)田, 黃參
【申請人】上海安費諾永億通訊電子有限公司
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2015年12月24日