技術(shù)編號(hào)：10352847
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。傳統(tǒng)的硅功率器件，它的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻有如下關(guān)系，導(dǎo)通電阻正比于擊穿電壓的2.5次方，擊穿電壓增加I倍，導(dǎo)通電阻變?yōu)樵瓉?lái)的4.7倍，這使得高壓使用的場(chǎng)景(如要求擊穿電壓在600V以上)，器件的導(dǎo)通電阻變得無(wú)法接受。超級(jí)結(jié)是一種能夠顯著減小器件導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)，它利用在漂移區(qū)中摻入具有互補(bǔ)類型的雜質(zhì)(如在N型漂移區(qū)中摻入P型雜質(zhì))，可以大大減小導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)。通常超級(jí)結(jié)的結(jié)構(gòu)如下，以N型硅基超級(jí)結(jié)為例，超級(jí)結(jié)通常包含以下幾個(gè)部分柵極，通常是由多晶硅組成，厚度...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。