技術(shù)編號:10473341
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,尤其是近幾年的便攜式電子設(shè)備,如手機、筆記本電腦等的快速發(fā)展,半導(dǎo)體存儲器集成電路的集成度越來越高,對晶體管性能的要求也日益增高。因此,對于晶體管可靠性的要求也隨之提高。在CMOS工藝中,負柵壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)會極大影響PMOS的工作穩(wěn)定性。NBTICnegative bias temperature instability)效應(yīng)發(fā)生在PMOS器件中,當器件的柵極處于負偏壓下時,器件的飽和漏極電流Idsat和跨導(dǎo)Gm不斷減小、...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。