技術(shù)編號(hào)：10490673
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。業(yè)內(nèi)周知，半導(dǎo)體Ge的電子與空穴迀移率分別是Si的2.8倍和4.2倍，其空穴迀移率是所有半導(dǎo)體中最高的。將應(yīng)變技術(shù)引入Ge基器件的應(yīng)變Ge技術(shù)對(duì)載流子迀移率提升明顯，例如埋溝應(yīng)變Ge的空穴迀移率可提高6-8倍。因此，Ge及應(yīng)變Ge將是16納米及以下工藝Si基CMOS器件與集成電路的最佳溝道材料。Ge還具有遠(yuǎn)優(yōu)于Si的光電性，在探測(cè)器、調(diào)制器、光波導(dǎo)、光發(fā)射器、太陽(yáng)能電池等有著極為廣泛的應(yīng)用。由于禁帶寬度只有0.67eV，Ge器件與電路的最大弱點(diǎn)是襯底的漏電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。