技術編號：10517956
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 在半導體裝置中使用諸如銅和鉆之類的金屬作為導電性互連材料是有利的，因為 運些金屬能實現高導電性及電路速度。另一方面，此類金屬難W圖案化。因此，使用鑲嵌法 (damascene)和雙鑲嵌法處理技術形成迄今仍為優(yōu)越的銅互連引線，從而在基板(諸如用于 形成半導體裝置的半導體基板)上的電介層中形成開口。將銅沉積在電介層上并沉積在開 口內。拋光/平坦化從電介質上方移除銅，留下嵌入開口內的銅。W此方式，光刻的負擔從銅 轉移至更易控制的電介層。嵌入的銅包括上表面，所述...
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