技術(shù)編號(hào):10571404
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。GaN材料由于具有大的禁帶寬度、高的熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速度和大的臨界擊穿電壓等特點(diǎn)而得以在光電子器件和高溫大功率電子器件等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,其研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體領(lǐng)域研究的前沿和熱點(diǎn)。由于具有自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面由于極化場(chǎng)的作用形成大量的正的極化電荷,這些正的極化電荷進(jìn)而吸引電子,在沒(méi)有故意摻雜的情況下可以在AlGaN/GaN界面產(chǎn)生大量的二維電子氣,其濃度可達(dá)1013cm-2,電子迀移率2000cm2/V...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。