技術編號：10620735
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 化學機械拋光(CMP)是常用于高密度集成電路的制造中的一種工藝，用于對沉積 在基板上的材料層進行平坦化或拋光。承載頭可將保持在其中的基板提供至拋光系統(tǒng)的拋 光站，并且可控制地迫使基板抵靠著移動的拋光墊。通過在存在拋光流體情況下使得基板 的特征結構側之間接觸并且相對于拋光墊移動基板，即可有效利用CMP。通過化學活動和機 械活動的組合從基板接觸拋光表面的特征結構側上移除材料。在拋光時從基板移除的顆粒 變?yōu)閼腋≡趻伖饬黧w中。在通過拋光流體拋光基板時，移除懸浮顆...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。