技術編號：10623563
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 金屬與半導體接觸時，由于金屬的費米能級和半導體的費米能級不同，存在電子 在金屬和半導體之間的流動，最終達到平衡狀態(tài)。由于半導體中自由電荷密度的限制，運些 電荷分布在半導體表面相當厚的一層表面層內，形成空間電荷區(qū)?？臻g電荷區(qū)內部存在一 定的電場，造成能帶的彎曲。 不同的半導體與半導體接觸形成異質結時，同樣因為費米能級的不同，存在空間 電荷區(qū)，進而存在內建電場，形成空間電荷區(qū)的能帶彎曲。 化wlar和Nor化ein用量子力學的觀點解釋了場致電子發(fā)射現象，場致...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。