技術(shù)編號(hào):10652669
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。單粒子效應(yīng)試驗(yàn)主要考核星上大規(guī)模和超大規(guī)?;A(chǔ)電路抗單粒子效應(yīng)的能力。 通過(guò)加速器模擬試驗(yàn)和锎源試驗(yàn)獲得大規(guī)模集成電路的單粒子翻轉(zhuǎn)截面和翻轉(zhuǎn)閾值,再結(jié)合衛(wèi)星具體軌道環(huán)境和元器件的工藝參數(shù)預(yù)示元器件在軌單粒子翻轉(zhuǎn)率。單粒子效應(yīng)地面模擬試驗(yàn)技術(shù)主要是寬束輻照技術(shù)、微束輻照技術(shù)。寬束輻照試驗(yàn)具有離子束斑面積大、離子能量高、輻照效率高等特點(diǎn)。但由于寬束輻照束斑大,測(cè)量得到的器件響應(yīng)是被輻照的所有電路單元的響應(yīng)的組合效果,無(wú)法得到器件響應(yīng)的詳細(xì)信息。微束輻照試驗(yàn)束斑...
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