技術(shù)編號：10658256
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。—些半導(dǎo)體處理系統(tǒng)可以在處理室中的襯底上沉積薄膜時采用等離子體。通常，襯底被布置在所述處理室中的基座上。為了使用化學(xué)氣相沉積創(chuàng)建薄膜，通過噴頭向處理室提供一種或多種前體。在處理期間，射頻(RF)功率可以被提供給噴頭或電極來產(chǎn)生等離子體。例如，RF功率可以被提供給嵌入在基座臺板內(nèi)的電極，基座臺板可以由非導(dǎo)電材料(如陶瓷)制成。基座的另一導(dǎo)電部分可以連接到RF地線或另一顯著不同的電位。當(dāng)電極由RF功率激勵時，在襯底和該噴頭之間產(chǎn)生RF場以在晶片和該噴頭之間產(chǎn)生...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。