技術(shù)編號(hào):10658462
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在專利文獻(xiàn)I(日本特開(kāi)2005-142240號(hào)公報(bào))中所公開(kāi)的MOSFET具備由SiC(碳化硅)構(gòu)成的半導(dǎo)體基板以及被形成在半導(dǎo)體基板的表面上的表面電極。半導(dǎo)體基板具備型的漂移區(qū);P型的基區(qū),其被形成在漂移區(qū)的表面?zhèn)?柵極溝槽,其從半導(dǎo)體基板的表面起延伸至貫穿基區(qū)并到達(dá)漂移區(qū)的位置。此外,半導(dǎo)體基板具備η型的源極區(qū),其被形成在基區(qū)的表面?zhèn)惹衣冻鲇诎雽?dǎo)體基板的表面的范圍內(nèi);P型的接觸區(qū),其被形成在基區(qū)的表面?zhèn)惹衣冻鲇诎雽?dǎo)體基板的表面的范圍內(nèi)。在俯視觀察半導(dǎo)體...
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