技術編號：10663447
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 -直以來，在半導體裝置的制造中，進行使用了光刻技術的微細加工。上述微細加 工是下述加工法在硅晶片等被加工基板上形成光致抗蝕劑組合物的薄膜，經(jīng)由描繪有半 導體裝置的圖案的掩模圖案向該薄膜照射紫外線等活性光線，并進行顯影，將所得的光致 抗蝕劑圖案作為保護膜(掩模)來對硅晶片等被加工基板進行蝕刻處理。近年來，半導體裝 置的高集成度化發(fā)展，所使用的活性光線也從KrF準分子激光(波長248nm)向ArF準分子激 光(波長193nm)短波長化。與此相伴，活性光線的來...
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