技術(shù)編號：10673240
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在光器件制造工藝中，在藍(lán)寶石(Al2O3)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化鎵(GaN)基板 的表面上層疊由η型氮化物半導(dǎo)體層和p型氮化物半導(dǎo)體層構(gòu)成的光器件層且在由形成為 格子狀的多條分割預(yù)定線劃分出的多個區(qū)域中形成發(fā)光二極管、激光二極管等光器件而構(gòu) 成光器件晶片。并且，通過沿著分割預(yù)定線照射激光光線來切斷光器件晶片而對形成有光 器件的區(qū)域進(jìn)行分割從而制造出各個光器件。并且，對于在鉭酸鋰（LiT aO3)基板、鈮酸鋰 (LiNbO3)基板、碳化硅(SiC...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。