技術(shù)編號：10689126
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。絕緣棚.雙極型晶體管(InsulatedGate Bipolar Transistor，IGBT)是由雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場效應管(MOSFET)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，其中BJT—般采用能工作在高電壓和高電流下的巨型晶體管(Giant Transistor,GTR)也即電力晶體管；IGTB兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源...
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