技術(shù)編號(hào)：10727815
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了，在n型GaN材料中形成光的微反射層，該層處在有源層和襯底之間，能夠?qū)⑸湎蛞r底的光反射回表面或側(cè)面，減少襯底對(duì)光的吸收，提高了LED的外量子效率，進(jìn)而提高了LED外延片的出光效率。本發(fā)明的外延片按常規(guī)芯片工藝制成300×300μm2的以ITO為透明電極的芯片，可得到10%?20%的亮度提升。專利說明本發(fā)明涉及LED外延，尤其涉及一種具有埋藏在n型GaN材料中的微反射層的氮化鎵基外延片及生長(zhǎng)方法。背景技術(shù)自GaN基第三代半導(dǎo)體材料的興起，藍(lán)色發(fā)光...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。