技術(shù)編號(hào)：10747291
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著集成電路特征尺寸的不斷縮小，對(duì)晶片表面氧化膜的清潔度和平整度的要求越來越高，如晶片表面氧化膜厚度超限會(huì)直接影響后續(xù)工藝的質(zhì)量，從而導(dǎo)致集成電路芯片的性能變差，使產(chǎn)品良率下降。盡管氧化膜的平整度可以通過改變氧化工藝條件進(jìn)行控制，但在此工藝后仍需對(duì)晶片膜厚的均勻性進(jìn)一步改善。單片濕法腐蝕由于無交叉污染和可區(qū)域腐蝕等優(yōu)點(diǎn)成為了一種非常重要的提高膜厚均勻性的技術(shù)。但隨著晶片尺寸的不斷增大，精準(zhǔn)控制單片濕法腐蝕速率及腐蝕的均勻性也變得越來越具有挑戰(zhàn)?，F(xiàn)有工藝中，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。