技術編號：10801960
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。波導式發(fā)射器芯片為單通道波導芯片，其耦合采用的光纖包括直徑為900μπι的外包層，而此外包層在經(jīng)過高溫烘烤之后，會有不同程度的收縮。這種收縮對光纖毛細管產(chǎn)生的拉力會對與波導式發(fā)射芯片的耦合效率產(chǎn)生很大的影響，甚至直接導致耦合失效。發(fā)明內(nèi)容為了避免光纖外包層收縮造成耦合不良，本實用新型提供一種用于波導式發(fā)射器芯片耦合的光纖。本實用新型提供一種用于波導式發(fā)射器芯片耦合的光纖，包括裸纖、涂覆層和外包層;其中，涂覆層涂覆在裸纖上，外包層包裹在涂覆層上;外包層裸露3...
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