技術(shù)編號(hào)：10858230
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。關(guān)于非易失性集成電路存儲(chǔ)器器件，電阻性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)是一種新興技術(shù)。RRAM器件是使用電阻值(而不是電荷)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。每個(gè)RRAM單元包括電阻性材料層，可以改變?cè)撾娮栊圆牧蠈拥碾娮柚狄员硎緦?duì)邏輯“O”數(shù)據(jù)位或邏輯“I”數(shù)據(jù)位的存儲(chǔ)。該電阻性材料(通常形式為電介質(zhì)層)可以被制成為通過由跨電介質(zhì)層施加第一編程電壓而形成的細(xì)絲或?qū)щ娐窂絹磉M(jìn)行導(dǎo)電。在導(dǎo)電狀態(tài)下，單元被編程為用于存儲(chǔ)邏輯“O”數(shù)據(jù)值或邏輯“I”數(shù)據(jù)值之一?？梢酝ㄟ^跨電介質(zhì)層...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。