技術(shù)編號：10947198
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。外延晶片，例如碳化硅外延晶片通常是采用CVD(化學(xué)氣相沉積)的方法來生長，具體是將襯底置于外延爐反應(yīng)室中，將含有構(gòu)成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入反應(yīng)室，借助氣相化學(xué)反應(yīng)在襯底表面上沉積固體薄膜。目前商業(yè)化的外延爐，大部分為水平行星式反應(yīng)室外延爐，主要由輸氣管路、注入器、大盤和加熱線圈組成。加熱線圈為一個一體化的呈現(xiàn)“蚊香型”的加熱線圈，置于大盤底部負責(zé)為大盤加熱。源氣由輸氣管道經(jīng)大盤中心位置上方的注入器進入反應(yīng)室內(nèi)部，源氣沿著大盤的徑向輸運。由于源氣的溫...
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