技術(shù)編號(hào):10947199
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。外延晶片,例如碳化硅外延晶片通常是采用CVD(化學(xué)氣相沉積)的方法來生長,具體是將襯底置于外延爐反應(yīng)室中,將含有構(gòu)成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入反應(yīng)室,在一定的溫度及壓力下借助空間氣相化學(xué)反應(yīng)在襯底表面上沉積固體薄膜。CVD可以生長純度高、缺陷少的外延晶片,是半導(dǎo)體工業(yè)中的主流技術(shù)。目前商業(yè)化的氣相沉積用外延爐,大部分為水平行星式反應(yīng)室外延爐,其反應(yīng)室內(nèi)設(shè)置有大盤,大盤上設(shè)置若干用于放置襯底的小盤基座。大盤中心上方設(shè)置有與進(jìn)氣管路相通的注入器,源氣由進(jìn)氣...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。