技術(shù)編號(hào)：11051021
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及集成電路分選領(lǐng)域，尤其是一種晶圓均勻加熱裝置。背景技術(shù)晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，其形狀為圓形；晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程，通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片，降低后續(xù)高昂的封裝成本。晶圓加熱裝置設(shè)有吸盤(pán)和加熱器，高溫測(cè)試時(shí)晶圓通過(guò)真空吸附在吸盤(pán)表面；為保證晶圓高溫測(cè)試精度，要求整個(gè)吸盤(pán)表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi)；傳統(tǒng)的采用云母加熱片、硅膠加熱片的加熱器存在加熱時(shí)吸盤(pán)中心的溫度大于外側(cè)的溫度，吸盤(pán)表面溫差較大，降低集成電路晶圓高溫測(cè)試精...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。