技術(shù)編號：11092578
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及石墨烯材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移設(shè)備及其轉(zhuǎn)移方法。背景技術(shù)石墨烯是碳原子按六角結(jié)構(gòu)緊密堆積成的單原子層二維晶體，載流子的本征遷移率可達(dá)到2×105cm2/(V·S)，這種優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)使其在高頻電子器件中有著巨大的應(yīng)用價(jià)值。為了制備石墨烯電子器件，首要的問題是制備出大尺寸、具有優(yōu)異電學(xué)性能的石墨烯薄膜，并轉(zhuǎn)移至合適的目標(biāo)基底上?，F(xiàn)有技術(shù)中，使用CVD進(jìn)行石墨烯薄膜的沉積是一種比較成熟的石墨烯薄膜生產(chǎn)方法。在使用CVD沉積石墨烯薄膜時(shí)，需要銅箔基板。在對石墨烯薄膜進(jìn)行分離時(shí)，...
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