技術(shù)編號：11100844
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體存儲器及其制作方法。背景技術(shù)為了實現(xiàn)存儲器的大容量、高集成度和高性能，可以采用存儲芯片堆疊的方式。目前芯片堆疊的方式主要有兩種：一種是存儲芯片以錯位式的方式一個接一個地堆疊上去，再用金屬引線鍵合一階一階地把各個芯片電連接在一起。采用錯位式結(jié)構(gòu)的目的是為了實施金屬引線鍵合。另一種是把存儲芯片垂直地疊在一起，用硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)來實現(xiàn)各堆疊存儲芯片間電信號連接。這兩種方法，都有較顯著的缺陷：芯片錯位式堆疊加引線鍵合，...
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