技術(shù)編號(hào):11100857
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種金屬化方法,具體說是一種硅表面金屬化方法。背景技術(shù)由于釬焊料不能直接潤濕硅表面,因此,當(dāng)硅基板表面刻蝕電路或者硅基板之間的焊接時(shí),需要在焊料與硅晶圓之間生長一層金屬化層UBM,這個(gè)過程稱為硅基板的金屬化。傳統(tǒng)的硅基板金屬化方法是:(1)首先,在硅基板(硅晶圓)表面用濺射的方法生長一層粘附層材料,粘附層材料是鈦或者鉻,厚度在50~200nm;(2)然后,用電鍍或化學(xué)鍍的方法生長一層阻擋層,阻擋層材料通常是鎳,厚度在5~20um;(3)最后,用蒸發(fā)或?yàn)R射方式生長一層保護(hù)層,常見的保護(hù)層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。