技術(shù)編號(hào)：11101633
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，更具體地，涉及制造圖像傳感器時(shí)的注入和退火工藝。背景技術(shù)本發(fā)明與圖像傳感器生產(chǎn)中的離子注入和退火再結(jié)晶工藝相關(guān)。傳統(tǒng)的，在圖像傳感器的集成電路制造工藝中，通常采用離子注入和退火熱處理工藝形成圖像傳感器器件中的特定雜質(zhì)分布，其要求具有電活性的高摻雜結(jié)。一般的，使用各種離子源進(jìn)行離子注入，并使用傳統(tǒng)方法完成后續(xù)退火激活工藝形成雜質(zhì)層。在傳統(tǒng)的退火再結(jié)晶工藝中，一般采用可見(jiàn)光波段的電磁波進(jìn)行照射。在這種工藝條件下，通常會(huì)出現(xiàn)白色像素缺陷問(wèn)題，且暗電流偏大，導(dǎo)致圖像出現(xiàn)較多噪點(diǎn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。