技術編號：11105542
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及單脈沖天線技術領域，尤其涉及內置環(huán)形單脈沖天線。背景技術傳統的應用于火箭發(fā)射筒的單脈沖天線結構尺寸巨大，攜帶安裝不便，由于整個天線位于發(fā)射筒端口上部，對稱性變差，因此天線零深比較淺，工藝一致性較差，尾瓣增益過高，嚴重影響了單脈沖天線的性能。授權公告號為CN102354799B的專利，它包括一對領結輻射貼片、介質基板、延遲線和加載電阻；其中領結輻射貼片位于介質基板的一面，延遲線、加載電阻位于介質基板的另一面；加載電阻分布于延遲線上；兩領結輻射貼片相近的內端是領結脈沖天線的饋電端，另一端是...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。