技術(shù)編號：11126706
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硅片加工設(shè)備領(lǐng)域，尤其是一種用于石墨舟上下片裝置。背景技術(shù)由于太陽光照射到太陽能電池的硅片上，其中一部分太陽光會被反射，即使對將硅表面設(shè)計(jì)成絨面，雖然入射光會產(chǎn)生多次反射可以增加光的吸收率，但是，還是會有一部分的太陽光會被反射，為了減少太陽光的反射損失，通常所采取的辦法是在太陽能電池的硅片表面覆蓋一層減反射膜，這層薄膜可以減少太陽光的反射率，增加光電轉(zhuǎn)換效率，在晶體硅表面淀積減反射膜技術(shù)中，氮化硅膜具有高絕緣性、化學(xué)穩(wěn)定性好、致密性好、硬度高等特點(diǎn)，同時(shí)具有良好的掩蔽金屬和水離子沉積的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。