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      半導(dǎo)體裝置的制造方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):11136638

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      本發(fā)明涉及具備場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體裝置,特別是涉及對(duì)由扭折(kink)現(xiàn)象產(chǎn)生的扭折電流進(jìn)行抑制的技術(shù)。背景技術(shù)在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中存在如下現(xiàn)象,即,即使柵極電壓為閾值電壓以下,也不希望地流過(guò)漏極電流。例如,由于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的活性區(qū)域和隔離區(qū)域的邊界部分處的變形、晶體缺陷,即使是閾值電壓以下的柵極電壓,也沿著該邊界部分開始流過(guò)漏極電流,在構(gòu)成要求電流平衡的差動(dòng)對(duì)、負(fù)載等的場(chǎng)效應(yīng)晶體管間電流產(chǎn)生不希望的偏差。例如,在日本特開2001-144189號(hào)公報(bào)中記載了如下內(nèi)容:在被溝槽元件隔離區(qū)域區(qū)劃的元件區(qū)...
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