技術(shù)編號(hào)：11237270
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，例如能夠適合應(yīng)用于具有非易失性存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件及其制造方法中的技術(shù)。背景技術(shù)作為具有電可寫入可擦除的非易失性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體器件，廣泛使用在MISFET的柵電極的下方具有被氧化膜包圍的導(dǎo)電性的浮動(dòng)?xùn)烹姌O或者被氧化膜夾著的電荷陷阱絕緣膜的存儲(chǔ)單元。后者被稱為MONOS(MetalOxideNitrideOxideSemiconductor：金屬-氧化物-氮化物-氧化物半導(dǎo)體)型，具有單柵極型單元和分柵型單元，用作微型計(jì)算機(jī)的非易失性存儲(chǔ)器。伴隨著微型計(jì)算...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。