技術(shù)編號：11252641
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種半導體器件及其制備方法、電子裝置。背景技術(shù)隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高器件的性能，需要不斷縮小集成電路器件的尺寸，隨著CMOS器件尺寸的不斷縮小，促進了三維設(shè)計如鰭片場效應晶體管(FinFET)的發(fā)展。相對于現(xiàn)有的平面晶體管，所述FinFET器件在溝道控制以及降低短溝道效應等方面具有更加優(yōu)越的性能；平面柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述溝道上方，而在FinFET中所述柵極環(huán)繞所述鰭片設(shè)置，因此能從三個面來控制靜電，在靜電控制方面的性能也更突出。通常FinFET器...
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