技術(shù)編號(hào)：11252668
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及到一種半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu)及其制作方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，集成電路的集成度越來越高，半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍也越來越廣，目前射頻通信領(lǐng)域中，為了優(yōu)化半導(dǎo)體器件的射頻特性，開始廣泛采用絕緣體上硅(silicononinsulator,SOI)技術(shù)，具體的SOI技術(shù)是通過形成一層埋氧層，將硅襯底硅與用于形成半導(dǎo)體器件的頂層硅隔離開來。但是，由于現(xiàn)今對(duì)于組成的元器件的體積要求越來越高，進(jìn)而對(duì)半導(dǎo)體的體積要求也逐漸增加，體積大的半導(dǎo)體在安裝的過程中占有很大的安裝空間，不利于...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。