技術(shù)編號(hào)：11252741
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器器件尺寸的不斷縮小，已研發(fā)出三維多柵極結(jié)構(gòu)，如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET),來代替平面互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的特性在于，其結(jié)構(gòu)具有一個(gè)或多個(gè)被柵極所環(huán)繞來限定器件的溝道的硅基鰭。柵極圍繞結(jié)構(gòu)在溝道上方還提供了更好的電控，因此減少了電流泄漏和短溝道效應(yīng)。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括：襯底，具有鰭和位于所述鰭之間的絕緣體，其中，所述鰭包括溝道部分和位于所述溝道部分旁邊...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。