技術(shù)編號(hào):11409883
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及平面探測(cè)器的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種帶有門(mén)柵控制的平面探測(cè)晶體管器件及其形成方法。背景技術(shù)隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步,光電探測(cè)技術(shù)在科研、軍事等方面都起著很重要的作用。而目前常見(jiàn)的電子敏/光敏探測(cè)器主要有光電二極管(photodiode)、光電三極管(bipolarphototransistor)以及場(chǎng)效應(yīng)(FET)探測(cè)管。其中光電二極管工作電壓低、量子效率高,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)光的探測(cè),但是沒(méi)有內(nèi)部增益,不能實(shí)現(xiàn)對(duì)弱光的探測(cè);傳統(tǒng)的光電三極管由于寄生現(xiàn)象(發(fā)射結(jié)-基區(qū)和基區(qū)-集電結(jié)的寄生電容、基區(qū)的寄...
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