技術(shù)編號：11426384
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于對晶片等基板的研磨所使用的研磨墊的表面溫度進(jìn)行調(diào)整的裝置和方法。背景技術(shù)CMP(化學(xué)機械拋光，ChemicalMechanicalPolishing)裝置在半導(dǎo)體設(shè)備的制造過程中被使用于對晶片的表面進(jìn)行研磨的工序。在CMP裝置中，利用頂環(huán)保持晶片而使晶片旋轉(zhuǎn)，而且，將晶片按壓于旋轉(zhuǎn)的研磨臺上的研磨墊而對晶片的表面進(jìn)行研磨。在研磨過程中，向研磨墊供給研磨液(漿液)，晶片的表面在研磨液的化學(xué)的作用和研磨液所含有的磨粒的機械作用下而被平坦化。晶片的研磨速度不僅依賴于研磨墊對晶片的研磨載荷...
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