技術(shù)編號(hào)：11434355
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種耐壓氮化鎵肖特基二極管的制作方法。背景技術(shù)在傳統(tǒng)的氮化鎵肖特基二極管的制作工藝中，通常通過過刻蝕工藝對(duì)電極金屬進(jìn)行刻蝕，以確保電極金屬刻蝕完全。但是，由于電極金屬的過刻蝕會(huì)使得二極管的表面變的粗糙，使得二極管器件的表面極易吸附雜質(zhì)和電荷，從而導(dǎo)致了二極管器件表面漏電、抗擊穿能力差、器件耐壓性能較低等問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種耐壓氮化鎵肖特基二極管的制作方法，用以優(yōu)化傳統(tǒng)的氮化鎵肖特基二極管器件的制作工藝，緩解器件表面漏電，增強(qiáng)器件耐壓性能。本...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。