技術(shù)編號(hào)：11507494
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料和光電材料技術(shù)領(lǐng)域，具體說是一種微米級(jí)硅基底上的鉭酸鋰或鈮酸鋰單晶薄膜及其制備方法。背景技術(shù)鉭酸鋰單晶薄膜和鈮酸鋰單晶薄膜擁有非常廣闊的應(yīng)用前景，可以廣泛的應(yīng)用在光信號(hào)處理、信息存儲(chǔ)、電子器件等領(lǐng)域。使用鉭酸鋰/鈮酸鋰單晶薄膜作為基礎(chǔ)材料，不僅在制作高頻、高帶寬、高集成度、大容量、低功耗的光電子學(xué)器件和集成光路等方面具備獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，極大的擴(kuò)充光通訊系統(tǒng)的傳輸能力和集成度，而且還可被應(yīng)用在制作濾波器，光波導(dǎo)調(diào)制器、光波導(dǎo)開關(guān)、空間光調(diào)制器和光學(xué)倍頻器、表面聲波發(fā)生器、紅外探測(cè)器...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。