技術(shù)編號：11517034
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及磁性傳感器設(shè)備和用于包括磁阻結(jié)構(gòu)的磁性傳感器設(shè)備的方法。背景技術(shù)磁阻效應(yīng)包括許多不同的物理現(xiàn)象，所有這些物理現(xiàn)象的共同之處在于電阻元件的電阻可通過穿透電阻元件的磁場的行為更改。利用磁阻效應(yīng)的技術(shù)有時被稱為“xMR技術(shù)”，其中“x”指示在此可以應(yīng)對的眾多效應(yīng)，舉幾個例子，比如巨磁阻（GMR）效應(yīng)、隧道磁阻（TMR）效應(yīng)或各向異性磁阻（AMR）效應(yīng)。xMR效應(yīng)可以應(yīng)用在各種基于場的傳感器中，例如用于測量分辨率、角度等。在一些應(yīng)用中，尤其在與安全相關(guān)的應(yīng)用中，要求這些傳感器可靠且以高精度水平...
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