技術(shù)編號(hào)：11586798
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)諸如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維多柵極結(jié)構(gòu)已經(jīng)發(fā)展以置換平面CMOS器件。FinFET的結(jié)構(gòu)部件中的一個(gè)是從襯底表面垂直延伸的半導(dǎo)體鰭，并且包裹鰭的柵極在溝道上方進(jìn)一步提供更好的電控制。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括：襯底，具有溝槽和在所述溝槽之間的鰭，其中，所述鰭包括上部和下部；絕緣物，設(shè)置在所述襯底的所述溝槽中和所述鰭之間，其中，所述鰭的所述上部高于所述絕緣物的頂面且所述上部具有基本上垂直的輪廓，而...
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