技術(shù)編號:11613766
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及氣相外延沉積技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種HVPE用氣體傳輸裝置、反應腔及HVPE設(shè)備。背景技術(shù)氫化物氣相外延(HVPE,HydrideVaporPhaseEpitaxy)設(shè)備為化合物生長工藝設(shè)備,主要用于在1000度左右高溫環(huán)境下通過如H2、HCl等氫化物氣體,使襯底表面外延生長一層如GaAs、GaN等的厚膜或晶體。外延層生長最重要的指標是其生長厚度及其組分的均勻性。這就要求襯底上方反應區(qū)內(nèi)的各前驅(qū)物氣體混合均勻,并具有較佳的氣流均勻性。但采用現(xiàn)有的HVPE設(shè)備,在一片或多片襯底表面生長外...
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