技術編號：11636159
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體模塊及使用了該半導體模塊的半導體驅動裝置。背景技術近年來，包括IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：絕緣柵雙極晶體管)、功率MOSFET等的功率半導體元件的半導體模塊趨向于小型化、高密度安裝化，發(fā)熱密度上升，因此，尋求散熱性及布局性較好的半導體封裝。例如，在以往的半導體驅動裝置中，示出將半導體模塊的一面按壓于散熱器來進行散熱(例如參照專利文獻1)。此外，在以往的半導體驅動裝置(專利文獻2內為半導體模塊。)中，示出利用模塑樹脂對半導體模塊(文獻內為...
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