技術(shù)編號(hào)：11722980
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。制造碳化硅單晶的裝置和方法本申請(qǐng)是于2011年12月16日申請(qǐng)的申請(qǐng)?zhí)枮椤?01110431747.9”、發(fā)明名稱為“制造碳化硅單晶的裝置和方法”的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及制造碳化硅(SiC)單晶的裝置和方法。背景技術(shù)已經(jīng)例如在JP-A-2007-176718中提出了一種SiC單晶制造裝置。在常規(guī)裝置中，籽晶的直徑通過升華蝕刻籽晶的可能存在很多缺陷和畸變的側(cè)面和外緣來減小。然后，籽晶的直徑通過在籽晶上生長(zhǎng)SiC單晶來增大至預(yù)定水平。具體地，這種常規(guī)裝置包括導(dǎo)向件，其具有定位為面向籽...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。