技術(shù)編號(hào)：11768075
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氣相沉積鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氣相沉積設(shè)備。背景技術(shù)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)借助于氣體輝光放電產(chǎn)生的低溫等離子體，增強(qiáng)反應(yīng)位置的化學(xué)活性，促進(jìn)了氣體間的化學(xué)反應(yīng)，從而在低溫下也能在基材上形成固體膜。PECVD在半導(dǎo)體和平板顯示行業(yè)有大量的應(yīng)用，尤其是在LTPS和OLED平板顯示行業(yè)，PECVD設(shè)備是不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，用于制備SiNx，SiOx和ASi(Amorphoussilicon，即...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。