技術(shù)編號(hào)：11836159
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本揭露大體上關(guān)于集成電路的制作，而且，更尤指各種形成用于鰭式場效晶體管半導(dǎo)體裝置的鰭片的方法以及其半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)在諸如微處理器、儲(chǔ)存裝置及類似者等現(xiàn)代集成電路中，是在有限的芯片面積上提供非常大量的電路元件，特別是晶體管。晶體管有各種形狀及形式，例如平面型晶體管、鰭式場效晶體管、納米線裝置等。此等晶體管一般是NMOS(NFET)或PMOS(PFET)型裝置，其中“N”及“P”名稱是基于產(chǎn)生裝置的源極/漏極區(qū)所用的摻質(zhì)類型。所謂的CMOS(互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)或產(chǎn)品是指使用NMOS及P...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。