技術(shù)編號(hào)：11956431
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于光子晶體結(jié)構(gòu)的QLED及制備方法。背景技術(shù)因?yàn)榱孔狱c(diǎn)具有發(fā)光峰窄、量子產(chǎn)額高等優(yōu)點(diǎn)，加上可利用印刷工藝制備，所以基于量子點(diǎn)的發(fā)光二極管(即量子點(diǎn)發(fā)光二極管：QLED)近來受到人們的普遍關(guān)注，其器件性能指標(biāo)也發(fā)展迅速。在QLED中，量子點(diǎn)發(fā)光層背光一側(cè)的光往往無法有效利用，金屬電極雖然有一定的反射作用，但是也有較大的吸收損耗，所以現(xiàn)有的QLED其發(fā)光效率還有待提高。因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種基于...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。